[实用新型]一种用以在基片上形成SiN薄膜的装置

权利要求书

1.一种用以在基片上形成SiN薄膜的装置，其特征在于：包括

一真空反应腔；

一基片架，设于真空反应腔内，用以放置基片；

一基片测温模块，设于基片架上，用以测量基片温度；

一气体导入模块，与真空反应腔连接并与基片架相对，用以向真空反应腔内输送N₂H₄、N₂和SiH₄气体；

一加热用催化器，设于真空反应腔内并位于气体导入模块与基片架之间，用以对输送入真空反应腔内的气体进行加热并加快各气体间的反应以形成SiN薄膜；以及

一红外热温测仪，用以检测所述加热用催化器的温度。

2.根据权利要求1所述的一种用以在基片上形成SiN薄膜的装置，其特征在于：所述基片测温模块为一热电偶，其可将检测到的代表基片温度的热电动势信号发送至外接的电气仪表，电气仪表依据该热电动势信号显示基片的温度值。

3.根据权利要求1或2所述的一种用以在基片上形成SiN薄膜的装置，其特征在于：所述气体导入模块为一伸入真空反应腔内的导气管，该导气管的伸入端沿水平方向横向设置且间隔开设有若干气嘴。

4.根据权利要求3所述的一种用以在基片上形成SiN薄膜的装置，其特征在于：所述加热用催化器为加热线圈，且该加热线圈与所述基片架平行。

5.根据权利要求4所述的一种用以在基片上形成SiN薄膜的装置，其特征在于：所述红外热温测仪设于真空反应腔外，所述真空反应腔的侧壁上对应该红外热温测仪的位置处设有一可供红外热温测仪所发出的红外光穿透进入的透明窗口，红外热温测仪所发出的红外光穿透过透明窗口后投射在所述加热 用催化器上。

6.根据权利要求5所述的一种用以在基片上形成SiN薄膜的装置，其特征在于：还包括抽气系统，该抽气系统与真空反应腔连接并抽吸反应尾气。

7.根据权利要求6所述的一种用以在基片上形成SiN薄膜的装置，其特征在于：所述抽气系统包括与真空反应腔依次气路连接的电磁阀和真空泵。