[实用新型]一种半导体器件有效
| 申请号： | 201220647148.0 | 申请日： | 2012-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN203013732U | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 褚为利;朱阳军;左小珍;赵佳;田晓丽 | 申请（专利权）人： | 上海联星电子有限公司;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
半导体衬底；
阱区，所述阱区形成于所述半导体衬底内；
栅极总线，所述栅极总线形成于所述阱区的表面；
第一场板，所述第一场板形成于所述半导体衬底表面且覆盖部分阱区；
其中，所述第一场板与所述栅极总线电连接。
2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述栅极总线的组成包括：栅氧化层，位于栅氧化层表面的栅多晶硅和位于栅多晶硅表面的栅金属层。
3.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述第一场板为阶梯状场板，从下往上包括第一阶梯场板和第二阶梯场板。
4.根据权利要求3所述的器件，其特征在于，所述第一阶梯场板和第二阶梯场板均是多晶硅场板。
5.根据权利要求4所述的器件，其特征在于，所述第一阶梯场板和第二阶梯场板均是与所述栅多晶硅同步形成的阶梯场板。
6.根据权利要求3所述的器件，其特征在于，所述第一阶梯场板和第二阶梯场板均是金属场板。
7.根据权利要求6所述的器件，其特征在于，所述第一阶梯场板和第二阶梯场板均是与所述栅金属层同步形成的阶梯场板。
8.根据权利要求3所述的器件，其特征在于，所述第一阶梯场板为多晶硅场板，所述第二阶梯场板为金属场板。
9.根据权利要求8所述的器件，其特征在于，所述第一阶梯场板是与所述栅多晶硅同步形成的阶梯场板；所述第二阶梯场板是与所述栅金属层同步形成的阶梯场板。
10.根据权利要求1-9任一项所述的器件，其特征在于，所述半导体器件终端区包括形成于所述半导体衬底表面的第二场板。
11.根据权利要求1-9任一项所述的器件，其特征在于，所述半导体器件终端区是形成于所述半导体衬底表面的场限环结构或结终端延伸结构。
12.根据权利要求10所述的器件，其特征在于，所述半导体器件还包括位于所述半导体器件终端区，形成于所述半导体衬底内的场限环或结终端延伸结构。
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