[实用新型]一种阵列温度传感器有效
申请号: | 201220650518.6 | 申请日: | 2012-11-20 |
公开(公告)号: | CN203011566U | 公开(公告)日: | 2013-06-19 |
发明(设计)人: | 林志娟 | 申请(专利权)人: | 林志娟 |
主分类号: | G01K7/18 | 分类号: | G01K7/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 315040 浙江省宁*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 温度传感器 | ||
(一)技术领域
本实用新型涉及温度传感器领域,尤其是涉及到一种阵列温度传感器。
(二)背景技术
温度传感器就是探测温度的传感器,利用材料的物理性质在温度的作用下发生变化的现象而制备。常见的温度传感器即采用金属制成,例如,铂温度传感器,其优势在于,线性度好,测量温度范围宽。但是,一般来说,这种温度传感器只适用于恒定温度的环境的温度测试,如果出现了温度梯度的分布的场合,采用现有的温度传感器则很难测出温度的分布。
(三)发明内容
本实用新型提供一种阵列温度传感器,采用阵列的方式制备,可以用于探测温度的分布,适合有温度梯度的场合的测试。本实用新型所采取的技术方案为,一种阵列温度传感器,包括底电极、顶电极、温敏材料层,其中,底电极、温敏材料层、顶电极为均匀分布的阵列;底电极为第一层,温敏材料层为第二层,顶电极为第三层,且底电极、顶电极构成交叉结构;底电极、顶电极由导电材料构成,温敏材料层为金属铂。
本实用新型的有益效果是:本实用新型的探测单元是阵列的方式,每一个阵列单元都可以感知温度的大小,可以探测出不均匀温度的分布。
(四)附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
图中:1底电极、2顶电极、3温敏材料层。
(五)具体实施方式
以下结合附图实施例对本实用新型作进一步详细描述。
图1为本实用新型的结构示意图,底电极1、顶电极2、温敏材料层3,其中,底电极1、温敏材料层3、顶电极2为均匀分布的阵列;底电极1为第一层,温敏材料层3为第二层,顶电极2为第三层,且底电极1、顶电极2构成交叉结构;底电极1、顶电极2由导电材料构成,温敏材料层3为金属铂。本实用新型的探测单元是阵列的方式,每一个阵列单元都可以感知温度的大小,可以探测出不均匀温度的分布。
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