[实用新型]一种半导体功率器件

权利要求书

1.一种半导体功率器件，其特征在于，包括： 

有源区、终端区及位于二者之间的主结，所述终端区包括终端结构，所述有源区包括基区，所述基区、主结、终端结构的掺杂类型相同，所述主结与所述有源区的基区同时形成，所述主结的结深与所述基区的结深相同，且所述主结的结深小于所述终端结构的结深。 

2.根据权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于，所述主结的结深为3μm～10μm，包括端点值。 

3.根据权利要求2所述的半导体功率器件，其特征在于，所述终端结构包括场限环。 

4.根据权利要求2所述的半导体功率器件，其特征在于，所述终端结构包括场限环和位于所述场限环上方的场板。 

5.根据权利要求3或4所述的半导体功率器件，其特征在于，所述场限环的结深为5μm～15μm，包括端点值。 

6.根据权利要求2所述的半导体功率器件，其特征在于，所述终端结构包括结终端延伸结构，所述结终端延伸结构的结深为5μm～15μm，所述结终端延伸结构的宽度为100μm～1500μm，包括端点值。 

7.根据权利要求3、4或6所述的半导体功率器件，其特征在于，所述终端结构还包括位于终端区边缘区域的场截止环。 

8.根据权利要求3、4或6所述的半导体功率器件，其特征在于，所述半导体功率器件还包括位于主结上方的场板。