[实用新型]一种半透半反式内嵌触摸屏及显示装置

权利要求书

1.一种半透半反式内嵌触摸屏，包括：彩膜基板，薄膜晶体管TFT阵列基板，以及位于所述彩膜基板和所述TFT阵列基板之间的液晶层；所述半透半反式内嵌触摸屏内形成有呈矩阵排列的多个像素单元，在每个像素单元设置有透射区和反射区；在所述TFT阵列基板相邻行的像素单元之间具有两条栅极信号线，且以相邻的两列像素单元为一组像素单元列，每组像素单元列共用一条位于该两列像素单元之间的数据信号线；其特征在于，

所述透射区的液晶层的厚度大于所述反射区的液晶层的厚度；且所述TFT阵列基板在反射区内设置有光学延迟层和金属反射层；所述光学延迟层用于补偿由所述透射区的液晶层与所述反射区的液晶层的厚度差引起的光延迟；

所述彩膜基板具有沿像素单元的行方向延伸的多条触控感应电极；

所述TFT阵列基板具有沿着像素单元的列方向延伸的多条触控驱动线，各所述触控驱动线位于相邻组像素单元列之间的间隙处。

2.如权利要求1所述的触摸屏，其特征在于，所述触控驱动线与所述数据信号线同层设置，且各所述触控驱动线之间的间距相同。

3.如权利要求2所述的触摸屏，其特征在于，所述触控驱动线与至少一个相邻的像素单元内的金属反射层通过过孔电性相连。

4.如权利要求3所述的触摸屏，其特征在于，所述TFT阵列基板具有位于像素电极上方的公共电极，且所述公共电极在与所述像素单元的开口区域对应的位置具有狭缝状透明电极结构；

在各像素单元内，所述金属反射层位于所述公共电极的下方且与像素电极电性相连。

5.如权利要求4所述的触摸屏，其特征在于，所述公共电极在与所述触控驱动线对应的位置具有镂空结构。

6.如权利要求3所述的触摸屏，其特征在于，所述TFT阵列基板具有位于像素电极下方的公共电极，与所述触控驱动线相邻的像素单元列具有的公共电极与其他像素单元列具有的公共电极相互绝缘，所述像素电极在与所述像素单元的开口区域对应的位置具有狭缝状透明电极结构；

在各像素单元内，所述金属反射层位于所述像素电极的下方且与公共电极电性相连。

7.如权利要求4-6任一项所述的触摸屏，其特征在于，还包括：与所述TFT阵列基板中的公共电极电性相连的至少一条公共电极线，各公共电极线位于除设置有所述触控驱动线之外的相邻组像素单元列之间的间隙处。

8.如权利要求1所述的触摸屏，其特征在于，各条所述触控感应电极位于所述彩膜基板的衬底与黑矩阵区域之间，或位于所述彩膜基板背向所述液晶层的一面。

9.如权利要求8所述的触摸屏，其特征在于，当各条所述触控感应电极位于所述彩膜基板的衬底与黑矩阵区域之间时，各所述触控感应电极具有网格状电极结构，且各触控感应电极的图案被所述黑矩阵区域覆盖。

10.如权利要求9所述的触摸屏，其特征在于，所述触控感应电极的材料为透明导电氧化物或金属。

11.如权利要求1-6或8-10任一项所述的触摸屏，其特征在于，相邻的多个所述触控感应电极在任一端通过导线导通，相邻的多个所述触控驱动线在任一端通过导线导通。

12.如权利要求1-6或8-10任一项所述的触摸屏，其特征在于，所述透射区的液晶层厚度为所述反射区的液晶层厚度的两倍；所述光学延迟层为四分之一波长光学延迟层；在各像素单元内，所述金属反射层的面积占开口区域面积的一半。

13.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-12任一项所述的半透半反式内嵌触摸屏。