[实用新型]一种薄膜太阳能电池及制成它的p型半导体

权利要求书

1.一种薄膜太阳能电池，其结构为单结结构：基板/前电极/p型半导体/i层本征吸收层/n层半导体薄膜/背电极；其特征在于：所述的p型半导体由p+层半导体薄膜和p-层半导体薄膜构成，其中p+层半导体薄膜、p-层半导体薄膜为具有不同光电特性的同一种材料制成， 

对于非晶硅电池，p+层半导体薄膜和p-层半导体薄膜均为非晶碳化硅a-SiC:H薄膜，p+层半导体薄膜的暗电导为1×10^-5～5×10^-5S/cm，能带隙为1.8～1.9 eV, 厚度为40～80 ?；p-层半导体薄膜的暗电导为1×10^-7～5×10^-7 S/cm，能带隙为2 ~2.1 eV，厚度为30～100 ?；

对于微晶硅电池，p+层半导体薄膜和p-层半导体薄膜均为微晶硅μ-Si:H薄膜，p+层半导体薄膜的暗电导为1×10^-3～1×10^-2S/cm，能带隙为1.1～1.2 eV, 厚度为40～80 ?；p-层半导体薄膜的暗电导为1×10^-5～1×10^-4 S/cm，能带隙为1.3 ～1.5 eV，厚度为30～100 ?。

2.一种薄膜太阳能电池，其结构为双结结构：基板/前电极/ p型半导体/i层本征吸收层/n层半导体薄膜/p型半导体/i层本征吸收层/n层半导体薄膜/背电极；其特征在于：所述的p型半导体由p+层半导体薄膜和p-层半导体薄膜构成，其中p+层半导体薄膜、p-层半导体薄膜为具有不同光电特性的同一种材料制成；

对于非晶硅电池，p+层半导体薄膜和p-层半导体薄膜均为非晶碳化硅a-SiC:H薄膜，p+层半导体薄膜的暗电导为1×10^-5～5×10^-5S/cm，能带隙为1.8～1.9 eV, 厚度为40～80 ?；p-层半导体薄膜的暗电导为1×10^-7～5×10^-7 S/cm，能带隙为2 ~2.1 eV，厚度为30～100 ?；

对于微晶硅电池，p+层半导体薄膜和p-层半导体薄膜均为微晶硅μ-Si:H薄膜，p+层半导体薄膜的暗电导为1×10^-3～1×10^-2S/cm，能带隙为1.1～1.2 eV, 厚度为40～80 ?；p-层半导体薄膜的暗电导为1×10^-5～1×10^-4 S/cm，能带隙为1.3 ～1.5 eV，厚度为30～100 ?。

3.一种薄膜太阳能电池，其结构为三结以及三结以上的多结结构：基板/前电极/ p型半导体/i层本征吸收层/n层半导体薄膜/ p型半导体/i层本征吸收层/n层半导体薄膜/ p型半导体/i层本征吸收层/n层半导体薄膜/…/背电极；其特征在于：所述的p型半导体由p+层半导体薄膜和p-层半导体薄膜构成，其中p+层半导体薄膜、p-层半导体薄膜为具有不同光电特性的同一种材料制成， 

对于非晶硅电池，p+层半导体薄膜和p-层半导体薄膜均为非晶碳化硅a-SiC:H薄膜，p+层半导体薄膜的暗电导为1×10^-5～5×10^-5S/cm，能带隙为1.8～1.9 eV, 厚度为40～80 ?；p-层半导体薄膜的暗电导为1×10^-7～5×10^-7 S/cm，能带隙为2 ~2.1 eV，厚度为30～100 ?；

对于微晶硅电池，p+层半导体薄膜和p-层半导体薄膜均为微晶硅μ-Si:H薄膜，p+层半导体薄膜的暗电导为1×10^-3～1×10^-2S/cm，能带隙为1.1～1.2 eV, 厚度为40～80 ?；p-层半导体薄膜的暗电导为1×10^-5～1×10^-4 S/cm，能带隙为1.3 ～1.5 eV，厚度为30～100 ?。