[实用新型]一种非晶硅电池使用的p型半导体有效
| 申请号： | 201220659583.5 | 申请日： | 2012-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN202977440U | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 高平奇;孔英;王宽冒;黄艳红;云骁健 | 申请（专利权）人： | 保定风帆光伏能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0376 | 分类号： | H01L31/0376;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 保定市燕赵恒通知识产权代理事务所 13121 | 代理人： | 杨玉清 |
| 地址： | 071051 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 非晶硅 电池 使用 半导体 | ||
【权利要求书】：
1.一种非晶硅电池使用的p型半导体，其特征在于：其由p+层半导体薄膜和p-层半导体薄膜构成，p+层半导体薄膜和p-层半导体薄膜均为非晶碳化硅a-SiC:H薄膜，p+层半导体薄膜的暗电导为1×10-5～5×10-5S/cm，能带隙为1.8～1.9 eV, 厚度为40～80 ?；p-层半导体薄膜的暗电导为1×10-7～5×10-7 S/cm，能带隙为2～2.1 eV，厚度为30～100 ?。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
