[实用新型]一种增强增益型放大电路有效
申请号: | 201220664174.4 | 申请日: | 2012-12-06 |
公开(公告)号: | CN203057077U | 公开(公告)日: | 2013-07-10 |
发明(设计)人: | 刘磊 | 申请(专利权)人: | 四川高软软件科技有限公司 |
主分类号: | H03F1/26 | 分类号: | H03F1/26;H03F3/45 |
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地址: | 610000 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 增强 增益 放大 电路 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种放大电路,具体的讲,属于一种增强增益型放大电路。
背景技术
放大电路为电路中最寻常的一种电路,现有的放大电路虽然效果好,但是但是一旦要求噪音低且上限频率高时,必须使电压达到一定强度。
实用新型内容
本实用新型的目的在于解决输入电压过低的缺陷,提供一种增强增益型放大电路。
为了实现上述目的,本实用新型采用的技术方案如下:
一种增强增益型放大电路,包括由JFET共源电路作为第一级和BJT电流跟随器作为第二级组成的共源-共基串接电路,其中JFET共源电路上还连接有运算放大电路。
进一步的,所述BJT的共基极与JFET的漏极相连。
同时,所述运算放大电路与JFET的栅极之间连接有电容Cb1,该运算放大器的正输入端上连接有电阻R3,负输入端上连接有相互串联的电阻R4和电阻R5,该电阻R5上还并联有电容C。
更进一步的,所述BJT的共集电极与电源VCC之间连接有电阻Rc、共发射极上连接有相互并联的电容Cb和电阻Rb2,其中并联的另一端接地,该共发射极与电源VCC之间还连接有电阻Rb1。
在进一步的,所述JFET的栅极上还连接电阻Rg的一端,电阻Rg的另一端接地,该栅极与直流电源RS之间还连接有电容Cb1,所述JFET的源极上还连接有电阻R2的一端,电阻R2的另一端连接有电阻R1,电阻R1还与电容C并联,上述两者构成的并联支路另一端接地。
与现有技术相比,本实用新型具有以下有益效果:
(1)本实用新型电路结构简单、成本低廉,解决输入电压过低的缺陷,适合推广使用;
(2)本实用新型采用BJT和JFET的组态配合,由于JFET构成的倒相电压放大电路具有电压增益高和输出电阻高的特点,在第二级采用BJT电流跟随器能够达到很好的放大作用,上限频率能够>1MHz,并且能够消除密勒效应,很好地阻隔噪声。
(3)本实用新型采用一个简单的运算放大电路即可实现此功能,耗电少且成本低。
附图说明
图1为本实用新型—实施例的电路原理图。
具体实施方式
下面结合附图与实施例对本实用新型作进一步说明,本实用新型的实施方式包括但不限于下列实施例。
实施例
如图1所示,一种增强增益型放大电路,包括由JFET共源电路作为第一级和BJT电流跟随器作为第二级组成的共源-共基串接电路,其中JFET共源电路上还连接有运算放大电路。
所述运算放大电路与JFET的栅极之间连接有电容Cb1,该运算放大器的正输入端上连接有电阻R3,负输入端上连接有相互串联的电阻R4和电阻R5,该电阻R5上还并联有电容C,其中电阻R4与运算放大器的负输入端相连,电阻R5与R3之间加载有电源Vs。
所述BJT的共基极与JFET的漏极相连。所述BJT的共集电极与电源VCC之间连接有电阻Rc、共发射极上连接有相互并联的电容Cb和电阻Rb2,其中并联的另一端接地,共集电极通过电容Cb2输出直流电压V0,该共发射极与电源VCC之间还连接有电阻Rb1。其中电源VCC=20V,电阻Rc=20kΩ,电阻Rb1=47kΩ,电阻Rb2=47kΩ,电容Cb=47 uF ,电容Cb2=10 uF ,BJT中的T2选用3DG4。
为了更好地实现本实用新型,所述JFET的栅极上还连接电阻Rg的一端,电阻Rg的另一端接地,该栅极与直流电源RS之间还连接有电容Cb1,所述JFET的源极上还连接有电阻R2的一端,电阻R2的另一端连接有电阻R1,电阻R1还与电容C并联,上述两者构成的并联支路另一端接地。其中电阻R1=4.7 Kω,电阻R2=100 Ω,电容Cb1=0.47 uF,电容C=47 uF,JFET中的T1选用CS146。
按照上述实施例,便可很好地实现本实用新型。
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