[实用新型]一种太阳能电池有效
申请号: | 201220665526.8 | 申请日: | 2012-12-05 |
公开(公告)号: | CN202996854U | 公开(公告)日: | 2013-06-12 |
发明(设计)人: | 谢俊腾;邹文镔;李建华;龚俊强 | 申请(专利权)人: | 中山联合光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04 |
代理公司: | 中山市科创专利代理有限公司 44211 | 代理人: | 谢自安 |
地址: | 528400 广东省中山*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 | ||
【技术领域】
本实用新型涉及光伏电池的领域,特别是一种太阳能电池。
【背景技术】
太阳能电池的光电转化效率还很低。目前太阳能电池的安装及发电成本都相对较高,这导致太阳能发电相对传统发电方式还不具有竞争力。对提高太阳能电池效率一直是太阳能研究的重点。目前的研究主要集中于新型材料的研发和聚光、镀膜等系统的改进。
通常,只有能量大于等于电离能的光子照射在光电池上才会形成电流,普通光电池中大量的太阳光能被浪费。如果使电离能降低将使更多的电子参与到光伏效应中去,可以提高光能利用率。但现有的解决方案都不能改变光电池的电离能。
另外,具有足够能量的光子激发的电子空穴对并非全部参与到光电流中去,只有距离PN结较近的电子空穴对可以在内电场的作用下被分开,形成光电流。
光电转化元件的转化效率一方面由其对太阳光谱的吸收情况决定,另一方面由被其吸收的光电子的能量转化成电能的情况决定。
本实用新型即针对上述技术问题研究而提出。
【实用新型内容】
本实用新型要解决的技术问题是提供一种太阳能电池,设有不同的太阳光吸收谱的光电转换层,同时导体层与电源连接,在光电转换 层上形成外电场,在外电场的作用下,光电转换层内部PN结的耗尽层将被加宽,内电场得到增强,使之具有太阳光子利用能力及太阳能转化效率更高的特点。
为解决上述技术问题,本实用新型一种太阳能电池采用如下技术方案:
本实用新型一种太阳能电池,包括至少一层光电转换层和至少一层导体层,所述光电转换层与导体层之间设置有绝缘层,所述导体层连接有用于提供外电场的电源,所述光电转换层采用的材料能够产生光电效应。
所述光电转换层上可形成内电场,所述内电场方向与导体层上的外电场方向相同。
本实用新型所述光电转换层为一层,所述导体层为一层,所述绝缘层为一层;或者所述光电转换层为三层,所述导体层为三层,所述绝缘层为五层,所述光电转换层与导体层之间由绝缘层隔开。根据需要,光电转换层、导体层和绝缘层可以为任意层数。
所述光电转换层设置在不同的位置,具有不同的太阳光吸收谱。
本实用新型一种太阳能电池,设有不同的太阳光吸收谱的光电转换层,同时导体层与电源连接,在导体层上形成外电场,在外电场的作用下,光电转换层内部PN结的耗尽层将被加宽,内电场得到增强,使之太阳光子利用能力及太阳能转化效率具有更高的特点。
【附图说明】
下面结合附图对本实用新型的具体实施方式作进一步详细说明,
其中:
图1为本实用新型一层光电转换层与一层导体层的结构示意图。
图2为本实用新型三层光电转换层与三层导体层的结构示意图。
【具体实施方式】
下面结合附图对本实用新型的实施方式作详细说明。
本实用新型一种太阳能电池,在日光照射方向上,第一层为光电转换层1,用于将光能转化成电能,并通过光电转换层1上下两侧的电极释放出去,所述导体层2用以提供外电场6,通常放置于光电转换层1的沿光轴的后方,所述光电转换层1上的内电场5方向与导体层2上的外电场6方向相同。在光电转换层1与导体层2之间为绝缘层3,用以将光电转换层1与导体层2隔开,电源4的一端通过导线与导体层2相连,另一端接地。
在光电转换层1之上可以加上一层导体层2,该导体层2必须是透明的材料,以保证光可以从导体层2照射到光电转换层1,然后将两导体层2与电源4两极连接,加入外电场6,可以更好地促进弱光子的吸收,以及有效光子激发的电子空穴对,使之参与到光电流中去,以提高光电转换层1对光能的吸收和能量转换,提高太阳光的吸收效率和转换效率。
图2是由多层光电转换层1和多层导体层2组成的太阳能电池,交替设置有三层导体层2,三层光电转换层1和五层绝缘层3,不同位置设置的光电转换层1具有各自的太阳光吸收谱,阳光经过光电转换层1时,能量大于E1-eV1的光子被吸收,激发出电子空穴对后释放 出一个能量为E+eV1-E1的次级光子,能量小于E1-eV1的光子不能被吸收,这些能量小于E1-eV1的光子与次级光子E+eV1-E1一起穿过光电转换层1,继续传播下去,在光电转换层1之后的导体层2和绝缘层3都必须是透明的,或者对透过该光电转换层1的光子透明,以使这些光子能够透过导体层2和绝缘层3被其它层光电转换层1所吸收。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的