[实用新型]提升PECVD镀膜均匀性的装置

权利要求书

1. 一种提升PECVD镀膜均匀性的装置，包括沉积腔、射频电极和进气系统，其特征在于，还包括设置于沉积腔下方的真空系统，沉积腔为管式真空腔体，进气系统采用纵向进气的方式，包括位于沉积腔一侧的进气装置和位于沉积腔内部上方的喷气管。

2. 根据权利要求1所述的提升PECVD镀膜均匀性的装置，其特征在于，喷气管一端连接进气装置，另一端为封闭端，喷气管上设置有均匀分布的出气孔。

3. 根据权利要求2所述的提升PECVD镀膜均匀性的装置，其特征在于，喷气管设置有一个以上。

4. 根据权利要求2所述的提升PECVD镀膜均匀性的装置，其特征在于，出气孔为1-5行，且每一行的数量为2个以上。

5. 根据权利要求2所述的提升PECVD镀膜均匀性的装置，其特征在于，所述的喷气管为圆柱、半圆柱或者长方体。

6. 根据权利要求2所述的提升PECVD镀膜均匀性的装置，其特征在于，所述的出气孔的形状为圆形、椭圆形、方形等任意形状。

7. 根据权利要求4所述的提升PECVD镀膜均匀性的装置，其特征在于，所述的出气孔平行或者交叉排列。