[实用新型]一种快恢复二极管芯片

说明书

技术领域

    本实用新型公开了一种快恢复二极管芯片，属于整流二极管领域。 

背景技术

现在市场上应用的高压二极管通常为普通高压二极管和快恢复高压二极管， 

普通高压二极管芯片单芯片反向击穿电压VR主要为1200V-1600V，以常用10000V高压二极管为例，单个高压二极管需要串联组装8-10颗二极管芯片，正向导通压降（VF）在8-10V左右； 快恢复高压二极管其单个芯片反向恢复电压VR主要为1200V，同样已10000V快恢复高压二极管为例，其内需串联至少10-11颗芯片，反向恢复恢复时间trr：40-70ns（测试条件If=0.5A,Ir=1A,Irr=0.25A）,正向约14-16V ；因受封装总数的制约，10000V超压硅堆长度约22*7.5*7.5(mm),整体尺寸制约整机尺寸；比如，目前国内变频微波炉采用的快恢复高压二极管主要采购为日本松下等进口元器件，国内高压二极管厂家产品主要集中在普通高压二极管。

    随后出现了发明名称为超快恢复二极管，申请号为200710071026， 申请日为2007年8月29日 的专利技术方案。该专利的技术方案是：超快恢复二极管，绝缘外壳内设有二极管芯片，所述的二极管芯片的阴极焊接在铜电极板上后再依次焊接到绝缘片 和铜底板上，阳极用导电片引出，所述的铜电极板用阴极导电片引出。上述专利的技术方案虽然解决了二极管正、反向恢复时间短的问题，但是，该技术方案是采用将多个二极管串接的方式，不能很好解决提高反向击穿电压的问题，采用上述方式，芯片的正向导通电压相应提高，致使芯片会发热，进而影响芯片的工作性能。 

发明内容

为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种正、反向恢复时间短，抗反向 

击穿电压高的优点的快恢复二极管芯片，并且芯片不会发热。

    为实现上述技术目的，本实用新型的技术方案的如下： 

一种快恢复二极管芯片，包括N+层和P+层，其特征在于：还包括设置在N+层和P+层之间的用于电流漂移的N型层。

本实用新型还包括位于P+层外侧的至少一层用于分压的P－层。 

本实用新型所述P－层为闭合环。 

本实用新型还包括设置在最外层P－层上的玻璃钝化层。 

本实用新型所述N+层或P+层表面均设置有镀镍合金层。 

本实用新型所述P+层表面设置有金属铝层。 

本实用新型的二极管芯片用于分压的P－层可为8层。 

由于本实用新型采用了上述技术方案，因此，具有如下技术效果： 

首先，增加用于电流漂移的N型层，缩短了正、反向的恢复时间；

其次，增加分压的P－层，并将P－层设置为闭合环，提高了抗反向击穿电

压；

第三，在P－层上增加玻璃钝化层，不但起到了保护芯片的作用，还具有散热和进一步提高抗击穿电压的效果；

第四，N+层和P+层表面均设置有镀镍合金层，或在P+层表面设置有金属铝层，具有散热的效果，还具有粘接焊锡或固定芯片的目的。

附图说明

    图1是本实用新型的侧面示意图； 

    图2是本实用新型的正台面图；

图3是本实用新型的负台面图。

图中：1、N+层   2、P+层，   3、N型层    4、P－层 

      5、玻璃钝化层  6、镀镍合金层 

具体实施方式

实施例1

一种快恢复二极管芯片，包括N+层和P+层，还包括设置在N+层和P+层之间的用于电流漂移的N型层。

实施例2

一种快恢复二极管芯片，包括N+层和P+层，还包括设置在N+层和P+层之间的用于电流漂移的N型层。本实用新型还包括位于P+层外侧的至少一层用于分压的P－层。

实施例3

一种快恢复二极管芯片，包括N+层和P+层，还包括设置在N+层和P+层之间的用于电流漂移的N型层。还包括位于P+层外侧的至少一层用于分压的P－层。所述P－层为闭合环。

实施例4

一种快恢复二极管芯片，包括N+层和P+层，还包括设置在N+层和P+层之间的用于电流漂移的N型层。还包括位于P+层外侧的至少一层用于分压的P－层。所述P－层为闭合环。还包括设置在最外层P－层上的玻璃钝化层。

实施例5