[实用新型]集成电路和电压选择电路有效
| 申请号： | 201220669158.4 | 申请日： | 2012-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN203193606U | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 陈利杰;孙俊岳;宋振宇 | 申请（专利权）人： | 艾尔瓦特集成电路科技（天津）有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 酆迅 |
| 地址： | 300457 天津市塘沽区经济*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 集成电路 电压 选择 电路 | ||
1.一种集成电路，包括：
第一电压域，可操作以建立第一域电压；
第二电压域，可操作以建立第二域电压；以及
电压选择电路，可操作以将建立中的或已经建立的所述第一域电压和建立中的或已经建立的所述第二域电压中的较大者输出作为所述第二电压域的体电压。
2.根据权利要求1所述的电路，其中所述第一电压域先于所述第二电压域启动。
3.根据权利要求1所述的电路，其中，所述第二电压域中包括一个或多个晶体管，并且所述第二电压域通过所述晶体管中的一个耦合到所述第一电压域。
4.根据权利要求3所述的电路，其中所述第二电压域通过所述晶体管中的一个的源极或漏极耦合到所述第一电压域。
5.根据权利要求1所述的电路，其中，所述电压选择电路包括第一晶体管和第二晶体管，
其中所述第一晶体管的源极耦合到所述电压选择电路的第一输入端，所述第一晶体管的栅极耦合到所述第二晶体管的源极，
其中所述第二晶体管的源极耦合到所述电压选择电路的第二输入端，所述第二晶体管的栅极耦合到所述第一晶体管的源极；以及
其中所述第一晶体管的漏极和本体与所述第二晶体管的漏极和本体耦合到所述电压选择电路的输出端。
6.根据权利要求3或4所述的电路，其中所述一个或多个晶体管为PMOS晶体管。
7.根据权利要求5所述的电路，其中所述第一晶体管和所述第二晶体管中的一个或多个为PMOS晶体管。
8.一种电压选择电路，包括：第一晶体管和第二晶体管；
其中所述第一晶体管的源极耦合到所述电压选择电路的第一输 入端，所述第一晶体管的栅极耦合到所述第二晶体管的源极；
其中所述第二晶体管的源极耦合到所述电压选择电路的第二输入端，所述第二晶体管的栅极耦合到所述第一晶体管的源极；以及
其中所述第一晶体管的漏极和本体与所述第二晶体管的漏极和本体耦合到所述电压选择电路的输出端。
9.根据权利要求8所述的电路，其中所述第一晶体管和/或所述第二晶体管为PMOS晶体管。
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