[实用新型]一种晶闸型二极管芯片

权利要求书

1.一种晶闸型二极管芯片，其特征在于：包括长基区、覆盖在长基区其中一个表面的阳极发射区、覆盖在长基区另一个表面的短基区、以及覆盖在短基区另一个表面的阴极发射区；其中，阳极发射区与长基区之间设有第一PN结，长基区和短基区之间设有第二PN结，短基区和阴极发射区之间设有第三PN结；所述晶闸型二极管芯片为台面型，阳极发射区该端形成阳极凸台，阴极发射区该端形成阴极凸台，第一PN结、第二PN结和第三PN结均暴露在上述凸台四周的侧壁上；阳极凸台顶面分为对称的第一表面和第三表面，阴极凸台的顶面分为对称的第二表面和第四表面，其中第一表面和第三表面为阶梯状，其连接处形成阳极凸台顶面台阶，第二表面和第四表面也为阶梯状，连接处形成阴极凸台顶面台阶。

2.如权利要求1所述的一种晶闸型二极管芯片，其特征在于：上述阳极凸台和阴极凸台的顶面，包括顶面上两个表面的连接处均覆盖有金属层。

3.如权利要求1或2所述的一种晶闸型二极管芯片，其特征在于：所述凸台四周的侧壁上还覆盖有玻璃钝化层。

4.如权利要求1所述的一种晶闸型二极管芯片，其特征在于：上述第一表面和第三表面之间的高度差，与第二表面和第四表面之间的高度差一致，均为3～10μm。

5.如权利要求1或4所述的一种晶闸型二极管芯片，其特征在于：第一表面到第二表面的距离，与第三表面到第四表面的距离一致。

6.如权利要求1所述的一种晶闸型二极管芯片，其特征在于：第一PN结、第二PN结和第三PN结均为平面结。