[实用新型]多晶硅薄膜太阳能电池

说明书

技术领域

本实用新型涉及太阳能电池领域，特别涉及多晶硅薄膜太阳能电池。 

背景技术

薄膜太阳能电池是在玻璃、金属或塑料等基板上沉积很薄（几微米至几十微米）的光电材料而形成的一种太阳能电池。薄膜太阳能电池具备弱光条件下仍可发电、生产过程能耗低及可大幅度降低原料和制造成本等一系列优势，已成为近年来的研究热点，其市场发展潜力巨大。 

基本的薄膜太阳能电池结构，包括单P-N结、P-I-N/N-I-P以及多结。典型的单结P-N结构包括P型掺杂层和N型掺杂层。单结P-N结太阳能电池有同质结和异质结两种结构。同质结结构的P型掺杂层和N型掺杂层都由相似材料（材料的能带隙相等）构成。异质结结构包括具有至少两层不同带隙的材料。P-I-N/N-I-P结构包括P型掺杂层、N型掺杂层和夹于P层和N层之间的本征半导体层（即未掺杂的I层）。多结结构包括具有不同带隙的多个半导体层，所述多个半导体层互相堆叠。在薄膜太阳能电池中，光在P-N结附近被吸收。由此所得的载流子扩散进入所述P-N结并被内建电场分开，从而生成穿过所述器件和外部电路系统的电流。 

多晶硅薄膜太阳能电池是将多晶硅薄膜生长在低成本的衬底材料上，用相对薄的晶体硅层作为太阳能电池的激活层，不仅保持了晶体硅太阳电池的高性能和稳定性，而且材料的用量大幅度下降，明显降低了电池成本。多晶硅薄膜太阳能电池的转换效率受到很多因素的影响，有待进一步的提高。 

更多关于多晶硅薄膜太阳能电池的制作方法请参考公开号为CN101582466A的中国专利。 

实用新型内容

本实用新型解决的问题是提供一种多晶硅薄膜太阳能电池,提高多晶硅薄膜太阳能电池的转换效率。 

为解决上述问题，本实用新型的技术方案提出了一种多晶硅薄膜太阳能电池，包括：基板；位于所述基板的表面的第一电极层；位于所述第一电极层表面的第一掺杂类型多晶硅层；位于所述第一掺杂类型多晶硅层表面的第二掺杂类型多晶硅层；位于所述第二掺杂类型多晶硅层表面应力层，所述应力层的应力类型与第二掺杂类型多晶硅层的掺杂类型相对应；位于所述应力层表面的第二电极层。 

可选的，所述第一掺杂类型多晶硅层为P型层，第二掺杂类型多晶硅层为N型层，并且所述应力层具有张应力。 

可选的，所述第一掺杂类型多晶硅层为N型层，第二掺杂类型多晶硅层为P型层，并且所述应力层具有压应力。 

可选的，所述应力层的厚度为0.5nm~100nm。 

可选的，所述应力层的应力数值范围为200MPa~1000MPa。 

可选的，所述应力层和第二电极层之间还具有抗反射层。 

可选的，在第二掺杂类型多晶硅层和应力层之间还具有抗反射层。 

可选的，所述第一掺杂类型多晶硅层的厚度范围为 。 

可选的，所述第二掺杂类型多晶硅层的厚度范围为 。 

与现有技术相比，本实用新型具有以下优点： 

本实用新型的技术方案，所述第二掺杂类型多晶硅层表面具有应力层，所述应力层的应力类型与第二掺杂类型多晶硅层的掺杂类型相对应。所述第二掺杂类型多晶硅层表面的应力层能够使第二掺杂类型多晶硅层受到应力作用，提高所述第二掺杂类型多晶硅层内载流子的迁移率，从而降低光生电子或光生空穴在经过PN结后，在第二掺杂类型多晶硅层内向第二电极层漂移的 过程中被复合的几率，提高到达第一电极层处的电子或空穴的数量，提高总的电流密度，从而提高多晶硅薄膜太阳能电池的转换效率。 

进一步的，如果所述第一掺杂类型多晶硅层为P型层，第二掺杂类型多晶硅层为N型层，则所述第二掺杂类型多晶硅层表面的应力层具有张应力。所述具有张应力的应力层使N型层受到张应力作用，提高所述N型层内电子的迁移率，从而降低P型层内产生的光生电子，在经过PN结后，在N型层内向第二电极层漂移的过程中，被复合的几率，提高到达第一电极层处的电子数量，从而提高多晶硅薄膜太阳能电池的转换效率。如果所述第一掺杂类型多晶硅层为N型层，第二掺杂类型多晶硅层为P型层，则所述第二掺杂类型多晶硅层表面的应力层具有压应力。所述具有压应力的应力层使P型层受到压应力作用，提高所述P型内空穴的迁移率，从而降低N型层内产生的光生空穴，在经过PN结后，在P型层内向第二电极层漂移的过程中，被复合的几率，提高到达第二电极层处的空穴数量，提高总的电流密度，从而提高多晶硅薄膜太阳能电池的转换效率。