[实用新型]异质结太阳能电池有效
| 申请号： | 201220679003.9 | 申请日： | 2012-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN202977496U | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 杨瑞鹏;肖春光;王磊;徐昕 | 申请（专利权）人： | 杭州赛昂电力有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/076 | 分类号： | H01L31/076 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 311215 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 异质结 太阳能电池 | ||
1.一种异质结太阳能电池，其特征在于，包括：
基片，所述基片为第一掺杂类型单晶硅片；
位于所述基片上表面的第二掺杂类型非晶硅层；
位于所述第二掺杂类型非晶硅层表面的透明导电层；
位于所述透明导电层表面的应力层，所述应力层的应力类型与第二掺杂类型非晶硅层的掺杂类型相对应；
位于所述应力层表面的第一电极；
位于所述基片下表面的第二电极。
2.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述基片为N型单晶硅片，第二掺杂类型非晶硅层为P型层，所述应力层具有压应力。
3.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述基片为P型单晶硅片，第二掺杂类型非晶硅层为N型层，所述应力层具有张应力。
4.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述应力层的厚度为0.5nm~100nm。
5.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述应力层的应力的数值范围为200MPa~1000MPa。
6.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第二掺杂类型非晶硅层的厚度范围为
7.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，还包括，位于所述第二掺杂类型非晶硅层和基片上表面之间的隧穿氧化层。
8.根据权利要求7所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述隧穿氧化层的厚度范围为
9.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，还包括，位于所述第二掺杂类型非晶硅层和基片上表面之间的本征非晶硅层。
10.根据权利要求9所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述本征非晶硅层厚度范围为5nm~50nm。
11.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，还包括，位于所述第二电极和基片下表面之间的第一掺杂类型重掺杂非晶硅层，和位于所述第一掺杂类型重掺杂非晶硅层表面的第二透明导电层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
