[实用新型]单晶硅太阳能电池有效
| 申请号： | 201220680034.6 | 申请日： | 2012-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN203055965U | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 杨瑞鹏;连春元;于奎龙;沈伟妙;丁鹏;赵燕萍 | 申请（专利权）人： | 杭州赛昂电力有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/078 | 分类号： | H01L31/078;H01L31/036 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 311215 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单晶硅 太阳能电池 | ||
【权利要求书】：
1.一种单晶硅太阳能电池，其特征在于，包括：
基片，所述基片为第一类型单晶片；
位于所述基片的上表面的SiGe虚拟衬底；
位于所述SiGe虚拟衬底表面的第二类型掺杂层；
位于所述第二类型掺杂层表面的抗反射层；
位于所述抗反射层表面的第一电极；
位于所述基片下表面的第二电极。
2.根据权利要求1所述的单晶硅太阳能电池，其特征在于，所述基片为N型单晶硅片，则所述第二类型掺杂层为P型层。
3.根据权利要求1所述的单晶硅太阳能电池，其特征在于，或者所述基片为P型单晶硅片，则所述第二类型掺杂层为N型层。
4.根据权利要求1所述的单晶硅太阳能电池，其特征在于，所述SiGe虚拟衬底包括基片表面的Ge含量随厚度逐渐增加的Si1-xGex缓冲层和位于Si1-xGex缓冲层表面的Ge含量稳定的弛豫Si1-xGex层。
5.根据权利要求1所述的单晶硅太阳能电池，其特征在于，还包括位于SiGe虚拟衬底和第二类型掺杂层之间的本征层。
6.根据权利要求5所述的单晶硅太阳能电池，其特征在于，所述本征层厚度范围为
7.根据权利要求1所述的单晶硅太阳能电池，其特征在于，所述第二类型掺杂层的厚度范围为
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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