[实用新型]生长在LiGaO2衬底上的非极性多量子阱有效
| 申请号： | 201220684250.8 | 申请日： | 2012-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN203085628U | 公开（公告）日： | 2013-07-24 |
| 发明（设计）人： | 李国强;杨慧 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/06 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 蔡茂略 |
| 地址： | 510641 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 生长 ligao sub 衬底 极性 多量 | ||
【权利要求书】：
1.生长在LiGaO2衬底上的非极性多量子阱，其特征在于，包括由下至上依次排列的LiGaO2衬底、非极性m面GaN缓冲层、非极性m面GaN外延层、非极性InGaN/GaN量子阱层。
2.根据权利要求1所述的生长在LiGaO2衬底上的非极性多量子阱，其特征在于，所述LiGaO2衬底的晶体取向为(100)晶面偏向(110)方向0.2~0.5°。
3.根据权利要求1所述的生长在LiGaO2衬底上的非极性多量子阱，其特征在于，所述非极性m面GaN缓冲层的厚度为30~60nm；所述非极性m面GaN外延层的厚度为150~250nm；所述非极性InGaN/GaN量子阱层为5~10个周期的InGaN阱层/GaN垒层，其中InGaN阱层的厚度为2~3nm；GaN垒层的厚度为10~13nm。
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