[实用新型]阵列基板、有机发光二极管显示装置有效

专利信息
申请号: 201220686659.3 申请日: 2012-12-12
公开(公告)号: CN203150551U 公开(公告)日: 2013-08-21
发明(设计)人: 宋泳锡;刘圣烈;崔承镇;金熙哲 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L51/52
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 罗建民;邓伯英
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 阵列 有机 发光二极管 显示装置
【说明书】:

技术领域

本实用新型属于有机发光二极管显示技术领域,具体涉及一种阵列基板、有机发光二极管显示装置。 

背景技术

有机发光二极管(OLED,Organic Light Emitting Diode)是一种有机薄膜电致发光器件,其具有制备工艺简单、成本低、发光效率高、易形成柔性结构等优点。因此,利用有机发光二极管的显示技术已成为一种重要的显示技术。 

有机发光二极管显示装置包括多个像素单元,每个像素单元中设有一个有机发光二极管,通过控制各有机发光二极管的电流即可控制它们的发光强度,从而实现显示。其中,显示器上的每个“可见像素”由多个相邻且发出不同颜色光的像素单元构成,各像素单元发出的光混合后成为该“可见像素”发出的光;组成“可见像素”的像素单元的颜色(即彩膜的颜色)可有多种不同模式,例如RGB(红绿蓝)模式(即一个红色像素单元、一个绿色像素单元、一个黄色像素单元组成一个“可见像素”)、RGBW(红绿蓝白)模式、RGBY(红绿蓝黄)模式等。 

由于白光有机发光二极管(WOLED)的技术比较成熟,发光效率高,因此其在有机发光二极管显示装置中获得了广泛应用。 

如图1所示,白光有机发光二极管显示装置的一个“可见像素”可包括设于基板7上的红、绿、蓝三个像素单元9R、9G、9B(当然也可为其他模式),各像素单元9R、9G、9B中设有薄膜晶体管(TFT)驱动层1,在薄膜晶体管驱动层1上依次设有阳极(第一电极21)、发光层23、阴极(第二电极22)、封闭层8(Encapsulation)、相应颜色的彩膜3R、3G、3B(又称彩色滤光片)。其中,阳极、发 光层23、阴极构成有机发光二极管2,薄膜晶体管驱动层1可独立驱动各像素单元9R、9G、9B的阳极,从而使各有机发光二极管2发出不同亮度的光,这些光经过相应的彩膜3R、3G、3B后成为不同颜色,并混合成为“可见像素”所发的光。 

为提高发光效率,可在有机发光二极管显示装置中形成微腔(Micro Cavity)结构。微腔结构是指在一反射层和一半反半透层间形成的厚度为微米量级的结构,光线会在两层间不断反射,由于谐振作用,故最终从半反半透层射出的光线中特定波长的光会得到加强,而该得到加强的波长与微腔厚度有关。 

在白光有机发光二极管显示装置中,不同像素单元是用于发出不同颜色的光的,因此不同像素单元处的微腔应能使不同波长的光(与其彩膜颜色相同的光)获得增强,即不同像素单元处的微腔厚度应不同。为达到这一目的,可如图2所示,在白光有机发光二极管显示装置中以阴极为半反半透层6,而将阳极设为透明层,并在阳极下方增设反射层4;这样,只要调节各阳极的厚度即可控制相应像素单元9R、9G、9B的微腔结构的厚度。 

发明人发现现有技术中至少存在如下问题:阵列基板的各阳极是处于同一层中的,原本可在一次构图工艺中同时形成,但在具有微腔的白光有机发光二极管显示装置中,各像素单元中的阳极厚度不同,故它们要在多次构图工艺中分别形成,或者在构图工艺中要使用双色调掩膜板,而这些都会导致制备工艺复杂、成本高。 

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题包括,针对现有技术中的具有微腔结构的阵列基板制备工艺复杂、成本高的问题,提供一种制备工艺简单、成本低、发光效率高的阵列基板。 

解决本实用新型技术问题所采用的技术方案是一种阵列基板,其包括多个位于基板上的像素单元,所述像素单元包括:薄膜晶体管驱动层;比所述薄膜晶体管驱动层更远离基板并受薄膜 晶体管驱动层驱动的有机发光二极管,在远离基板的方向上,有机发光二极管依次包括透明的第一电极、发光层、第二电极,其中,所述第二电极为半反半透层,或所述第二电极透明且其上设有半反半透层;且所述半反半透层具有用于使光产生漫反射的凹凸结构或波浪结构;反射层,其位于所述薄膜晶体管驱动层与有机发光二极管间,并与所述半反半透层形成微腔结构;位于所述反射层与有机发光二极管间、且处于微腔结构中的彩膜,所述彩膜与有机发光二极管接触的面上具有凹凸结构或波浪结构。 

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201220686659.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top