[实用新型]阵列基板、有机发光二极管显示装置有效
申请号: | 201220686659.3 | 申请日: | 2012-12-12 |
公开(公告)号: | CN203150551U | 公开(公告)日: | 2013-08-21 |
发明(设计)人: | 宋泳锡;刘圣烈;崔承镇;金熙哲 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 罗建民;邓伯英 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 有机 发光二极管 显示装置 | ||
技术领域
本实用新型属于有机发光二极管显示技术领域,具体涉及一种阵列基板、有机发光二极管显示装置。
背景技术
有机发光二极管(OLED,Organic Light Emitting Diode)是一种有机薄膜电致发光器件,其具有制备工艺简单、成本低、发光效率高、易形成柔性结构等优点。因此,利用有机发光二极管的显示技术已成为一种重要的显示技术。
有机发光二极管显示装置包括多个像素单元,每个像素单元中设有一个有机发光二极管,通过控制各有机发光二极管的电流即可控制它们的发光强度,从而实现显示。其中,显示器上的每个“可见像素”由多个相邻且发出不同颜色光的像素单元构成,各像素单元发出的光混合后成为该“可见像素”发出的光;组成“可见像素”的像素单元的颜色(即彩膜的颜色)可有多种不同模式,例如RGB(红绿蓝)模式(即一个红色像素单元、一个绿色像素单元、一个黄色像素单元组成一个“可见像素”)、RGBW(红绿蓝白)模式、RGBY(红绿蓝黄)模式等。
由于白光有机发光二极管(WOLED)的技术比较成熟,发光效率高,因此其在有机发光二极管显示装置中获得了广泛应用。
如图1所示,白光有机发光二极管显示装置的一个“可见像素”可包括设于基板7上的红、绿、蓝三个像素单元9R、9G、9B(当然也可为其他模式),各像素单元9R、9G、9B中设有薄膜晶体管(TFT)驱动层1,在薄膜晶体管驱动层1上依次设有阳极(第一电极21)、发光层23、阴极(第二电极22)、封闭层8(Encapsulation)、相应颜色的彩膜3R、3G、3B(又称彩色滤光片)。其中,阳极、发 光层23、阴极构成有机发光二极管2,薄膜晶体管驱动层1可独立驱动各像素单元9R、9G、9B的阳极,从而使各有机发光二极管2发出不同亮度的光,这些光经过相应的彩膜3R、3G、3B后成为不同颜色,并混合成为“可见像素”所发的光。
为提高发光效率,可在有机发光二极管显示装置中形成微腔(Micro Cavity)结构。微腔结构是指在一反射层和一半反半透层间形成的厚度为微米量级的结构,光线会在两层间不断反射,由于谐振作用,故最终从半反半透层射出的光线中特定波长的光会得到加强,而该得到加强的波长与微腔厚度有关。
在白光有机发光二极管显示装置中,不同像素单元是用于发出不同颜色的光的,因此不同像素单元处的微腔应能使不同波长的光(与其彩膜颜色相同的光)获得增强,即不同像素单元处的微腔厚度应不同。为达到这一目的,可如图2所示,在白光有机发光二极管显示装置中以阴极为半反半透层6,而将阳极设为透明层,并在阳极下方增设反射层4;这样,只要调节各阳极的厚度即可控制相应像素单元9R、9G、9B的微腔结构的厚度。
发明人发现现有技术中至少存在如下问题:阵列基板的各阳极是处于同一层中的,原本可在一次构图工艺中同时形成,但在具有微腔的白光有机发光二极管显示装置中,各像素单元中的阳极厚度不同,故它们要在多次构图工艺中分别形成,或者在构图工艺中要使用双色调掩膜板,而这些都会导致制备工艺复杂、成本高。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题包括,针对现有技术中的具有微腔结构的阵列基板制备工艺复杂、成本高的问题,提供一种制备工艺简单、成本低、发光效率高的阵列基板。
解决本实用新型技术问题所采用的技术方案是一种阵列基板,其包括多个位于基板上的像素单元,所述像素单元包括:薄膜晶体管驱动层;比所述薄膜晶体管驱动层更远离基板并受薄膜 晶体管驱动层驱动的有机发光二极管,在远离基板的方向上,有机发光二极管依次包括透明的第一电极、发光层、第二电极,其中,所述第二电极为半反半透层,或所述第二电极透明且其上设有半反半透层;且所述半反半透层具有用于使光产生漫反射的凹凸结构或波浪结构;反射层,其位于所述薄膜晶体管驱动层与有机发光二极管间,并与所述半反半透层形成微腔结构;位于所述反射层与有机发光二极管间、且处于微腔结构中的彩膜,所述彩膜与有机发光二极管接触的面上具有凹凸结构或波浪结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的