[实用新型]阵列基板及显示装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板及显示装置。

背景技术

有机发光二极管（Organic Light-Emitting Diodes，OLED）以其制备工艺简单、成本低、发光颜色可在可见光区内任意调节以及易于大面积和柔性弯曲等优点，被认为是未来最重要的显示技术之一。尤其是白光OLED（WOLED）的功率效率已经超过了60lm/W，寿命达到了2万个小时以上，极大地推动了WOLED的发展。

如图1所示，为现有的OLED阵列基板的结构，具体示出了一个像素单元的示意图，由下至上包括：形成在基板1上的第一栅极2、第二栅极2＇及栅线（图中未示出），形成在第一栅极2、第二栅极2＇及栅线之上的栅绝缘层3，形成在栅绝缘层3上的第一有源层4和第二有源层4＇，形成在第一有源层4和第二有源层4＇之上的绝缘间隔层5，形成在绝缘间隔层5上的第一源漏层6（包括第一源极和第一漏极）和第二源漏层6＇（包括第二源极和第二漏极），形成在第一源漏层6和第二源漏层6＇之上的钝化层7。其中，第一栅极2、栅绝缘层3、第一有源层4、绝缘间隔层5及第一源漏层6形成开关薄膜晶体管（通常为氧化物薄膜晶体管），第二栅极2＇、栅绝缘层3、第二有源层4＇、绝缘间隔层5及第二源漏层6＇形成驱动薄膜晶体管（通常为氧化物薄膜晶体管）。开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管位于像素单元的非像素区域B，即薄膜晶体管结构对应的区域。第一源漏层6和第二源漏层6＇之上依次为钝化层7、彩膜9、黑矩阵15、树脂层10，有机发光二极管的第一电极11、像素定义层12、有机发光层13及有机发光二极管的第一电极14。其中，第一电极11为透明电极，有机发光层发出的光通过第一电极以及其下方的各层后出射。有机发光二极管位于阵列基板的像素单元的像素区域A（除薄膜晶体管结构区域以外的显示区域）。

黑矩阵15具体位于薄膜晶体管结构对应区域，即区域B，且形成在彩膜9上的背离薄膜晶体管结构一侧的表面，其作用是阻挡有机发光二极管发出的光线对氧化物薄膜晶体管的特性的影响，使显示效果更好。如图2所示（RGB彩膜各色光的波长及混合后的光c light的波长与透过率关系图），研究发现对于WOLED发出的光线中主要是波长较短的光，（如：蓝光，尤其是在400nm以下的蓝光）对氧化物薄膜晶体管的特性的影响，会产生光照漏电流，导致显示效果不好。因此只需要避免波长较短的蓝光对氧化物薄膜晶体管的影响即可。

实用新型内容

（一）要解决的技术问题

本实用新型要解决的技术问题是：如何避免波长较短的蓝光对氧化物薄膜晶体管的特性的影响。

（二）技术方案

为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种阵列基板，包括多个位于基板上的像素单元，所述像素单元包括：形成在基板上的薄膜晶体管结构、由所述薄膜晶体管结构驱动的有机发光二极管及位于所述薄膜晶体管结构和所述有机发光二极管之间的彩膜，所述有机发光二极管位于像素单元的像素区域，所述像素单元还包括：位于所述薄膜晶体管结构对应区域，且形成在所述薄膜晶体管结构上方的用于阻挡蓝色光线的遮光层。

其中，所述遮光层为红色滤光片。

其中，所述红色滤光片的厚度为

其中，所述遮光层为绿色滤光片。

其中，所述绿色滤光片的厚度为

其中，所述遮光层为红绿滤光片叠层形成。

其中，所述红绿滤光片叠层的厚度为

其中，所述薄膜晶体管结构包括：形成在基板上的第一栅极、第二栅极，形成在所述第一栅极和第二栅极之上的栅绝缘层，形成在所述栅绝缘层之上的第一有源层和第二有源层，形成在第一有源层之上的第一源极和第一漏极，形成在第二有源层之上的第二源极和第二漏极，所述第一漏极连接所述第二栅极，所述第一栅极、栅绝缘层、第一有源层、第一源极及第一漏极形成开关薄膜晶体管，所述第二栅极、栅绝缘层、第二有源层、第二源极及第二漏极形成驱动薄膜晶体管；

所述有机发光二极管位于所述像素单元的像素区域，包括透明的第一电极、发光层、第二电极，所述第一电极连接所述第二漏极。

本实用新型还提供了一种显示装置，包括上述任一项所述的阵列基板。

（三）有益效果

本实用新型通过彩膜上且位于薄膜晶体管结构对应区域形成用于阻挡蓝光的遮光层，阻挡了蓝光照射到氧化物薄膜晶体管上，避免波长较短的光对氧化物薄膜晶体管的特性的影响而导致的显示效果不好的缺陷。

附图说明

图1是现有的一种阵列基板结构示意图；