[实用新型]阵列基板及显示装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板及显示装置。

背景技术

有机发光二极管（Organic Light-Emitting Diodes，OLED）以其制备工艺简单、成本低、发光颜色可在可见光区内任意调节以及易于大面积和柔性弯曲等优点，被认为是未来最重要的显示技术之一。尤其是白光OLED（WOLED）的功率效率已经超过了60lm/W，寿命达到了2万个小时以上，极大地推动了WOLED的发展。

如图1中（a）所示，其中一种WOLED采用红绿蓝三基色掺杂成有机发光层102，使得有机发光层102发出白光，有机发光层102位于阴极101和阳极103之间，发光层发出的白光通过阴极101反射后从阳极103的一侧出射。为了提高光的透过率，增大WOLED显示装置的亮度，在阳极的一侧，且对应彩膜上每一种颜色滤光片的区域各设有半反半透层103＇，从而形成微腔结构（microcavity structure），如图1中（b）所示，微腔结构是指在一反射层和一半反半透层间形成的厚度为微米量级的结构，其加强光的强度的原理为：光线会在层中不断反射，由于谐振作用，故最终从半反半透层射出的光线中特定波长的光会得到加强，而该得到加强的波长与微腔厚度有关。在白光有机发光二极管显示装置中，不同像素单元是用于发出不同颜色的光的，因此不同像素单元中的微腔应能使不同波长的光（与微腔外对应的彩膜颜色相同的光）获得增强，即不同像素单元中的微腔厚度不同。

如图2和3所示为现有的两种WOLED阵列基板的层次结构示意图，彩膜位于微腔结构的外部，由上述原理可知彩膜上每种颜色对应的微腔结构厚度不一样，如图2中的300和图3中的400。由于各色光的波长不一样，其对应的微腔结构也不尽相同，厚度的也不同。例如图3中，Cathode为有机发光二极管的阴极，Anode为阳极，两者之间为发白光的有机发光层（通常采用RGB三原色的有机材料混合而成）。R、G、B及W分别代表红光、绿光、蓝光及白光的出光区域，Red CF、Green CF和Blue CF分别为彩膜上红色、绿色及蓝色的滤光片。各色光的微腔结构都包括位于OC层（保护层）上方的IZO或ITO层，对于R、G、B，还包括SiNx及SiOx（硅的氮化物及硅的氧化物）层，对于R和B还包括除了阳极以外的IZO/ITO层，WOLED发出的白光透过上述各层后，对应色光的透过率会增大。如图4所示，点线对应无微腔结构时的透过率（即亮度），实线对应有微腔结构的透过率，对于蓝光透过率大约为原来的1.6倍，对于绿光透过率大约为原来的2.5倍，对于红光透过率大约为原来的2.2倍。

由图2和图3可看出，虽然现有的微腔结构增大了光的透过率，但现有的微腔结构层次结构比较复杂，而且每个颜色的滤光片对应的区域制作不同厚度的微腔结构，制作工艺较复杂。

实用新型内容

（一）要解决的技术问题

本实用新型要解决的技术问题是：如何实现制作工艺简单的微腔结构，从而增大WOLED显示装置的透过率。

（二）技术方案

为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种阵列基板，包括多个位于基板上的像素单元，所述像素单元包括：

形成在基板上的薄膜晶体管结构；

以及由所述薄膜晶体管结构驱动的有机发光二极管，所述有机发光二极管位于所述像素单元的像素区域，所述有机发光二极管在远离基板的方向上依次包括透明的第一电极、发光层、反射光线的第二电极；

半反半透层，位于所述有机发光二极管与所述薄膜晶体管结构之间；

彩膜，位于所述有机发光二极管的第二电极与所述半反半透层之间；

所述有机发光二极管的第二电极与所述半反半透层形成微腔结构。

其中，所述薄膜晶体管结构包括：形成在基板上的第一栅极、第二栅极，形成在所述第一栅极和第二栅极之上的栅绝缘层，形成在所述栅绝缘层之上的第一有源层和第二有源层，形成在第一有源层之上的第一源极和第一漏极，形成在第二有源层之上的第二源极和第二漏极，所述第一漏极连接所述第二栅极，所述第一栅极、栅绝缘层、第一有源层、第一源极及第一漏极形成开关薄膜晶体管，所述第二栅极、栅绝缘层、第二有源层、第二源极及第二漏极形成驱动薄膜晶体管；

所述驱动薄膜晶体管的第二漏极与所述有机发光二极管的第一电极电连接。