[实用新型]一种在IGBT或者VDMOS上形成的沟槽有效
| 申请号： | 201220688948.7 | 申请日： | 2012-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN202977424U | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 张文亮;赵佳;朱阳军;田晓丽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘丽君 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 或者 vdmos 形成 沟槽 | ||
【权利要求书】：
1.一种在IGBT或者VDMOS上形成的沟槽，其特征在于，侧面为100面。
2.根据权利要求1所述的沟槽，其特征在于，所述沟槽为锯齿状。
3.根据权利要求1所述的沟槽，其特征在于，所述沟槽为折线状。
4.根据权利要求1所述的沟槽，其特征在于，所述沟槽为菱形。
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