[实用新型]增大蓝相液晶显示器透过率的装置

权利要求书

1.一种增大蓝相液晶显示器透过率的装置，其特征为该装置包括：上偏振片、上基板、中间部分、下基板和下偏振片；

其位置按照入射光线通过顺序由下至上依次为下偏振片、下基板、中间部分、上基板和上偏振片；中间部分的组成为蓝相液晶(BPLC)、第一Pixel电极、第二Pixel电极，绝缘层和Common电极；

其中上基板与下基板之间的中间部分的分布方式为：下基板的上表面上均匀间隔分布Common电极，Common电极和下基板上覆盖一层绝缘层，并作压平处理，间隔分布的Common电极的正上方的绝缘层上面，间隔的加有第一Pixel电极或第二Pixel电极，第一Pixel电极或第二Pixel电极存在细缝；第一Pixel电极与第二Pixel电极加极性相反电势，蓝相液晶填充在上基板和下基板之间的空隙处。

2.如权利要求1所述的增大蓝相液晶显示器透过率的装置，其特征为所述的第一Pixel电极或第二Pixel电极存的细缝为1～10条，宽度为2～15μm。

3.如权利要求1所述的增大蓝相液晶显示器透过率的装置，其特征为所述的Common电极为条状电极，等间距分布。

4.如权利要求1所述的增大蓝相液晶显示器透过率的装置，其特征为所述的细缝是通过刻蚀ITO电极得到，细缝的宽度范围可根据Pixel电极大小与工艺进行调整。

5.如权利要求1所述的增大蓝相液晶显示器透过率的装置，其特征为所述的Pixel电极和Common电极的电极厚度范围是：20nm-250nm。

6.如权利要求1所述的增大蓝相液晶显示器透过率的装置，其特征为所述Common电极之间的间距为：20μm≥L≥2μm。

7.如权利要求1所述的增大蓝相液晶显示器透过率的装置，其特征为所述的绝缘层材料为氮化硅或者二氧化硅材料，厚度为100nm。

8.如权利要求1所述的增大蓝相液晶显示器透过率的装置，其特征为所述的基板为薄膜晶体管液晶显示器所使用的玻璃基板。

9.如权利要求1所述的增大蓝相液晶显示器透过率的装置，其特征为所述的偏振片为薄膜晶体管液晶显示器所使用的偏振片，型号为G1220DU，其方位角度为正负45度。

10.如权利要求1所述的增大蓝相液晶显示器透过率的装置，其特征为所述的蓝相液晶的科尔常数K=12.68nmV^-2，光波长λ=550nm。