[实用新型]一种阵列基板及液晶显示面板

说明书

技术领域

本实用新型涉及液晶技术领域，尤其涉及一种阵列基板及液晶显示面板。

背景技术

随着高级超维场转换技术（Advanced Super Dimension Switch，ADS）液晶显示产品需求量越来越大，对功耗的要求也越来越高，这就要求像素单元开口率达到一个更高的水平来降低功耗。除了通过工艺的控制，设计的改进已成为增大开口率的重要途径。

传统添加公共电极走线的ADS产品中，公共电极走线通过过孔周期性和公共电极线的ITO层连接，起到并联电阻减小电阻的作用。参考图1，其栅线101朝向各自像素单元A（该区域由一栅线101、两条纵向数据线102和一公共电极线103围成），不能有效利用空间，同时源电极连接像素电极的过孔B在像素单元显示区域A内。同时为了防止漏光，往往通过彩膜侧的黑矩阵BM（图中未示出）来遮挡，但同时很大程度上减小了开口率，并且因为对盒精度问题，往往会造成过孔处的漏光。

另外，传统添加公共电极走线的ADS产品中，栅线位置上一行的BM挡住薄膜晶体管TFT和走线，导致形状不规则，和公共电极上一行平整的BM不一致，这样在最终的成品中会形成横纹，进而相邻行的亮度差异导致在整个屏幕上显示异常。

实用新型内容

本实用新型实施例提供了一种阵列基板及液晶显示面板，用以增大像素单元开口率，避免因为相邻行黑矩阵形状不同而造成的显示出现横纹，提高显示质量。

本实用新型实施例提供的一种阵列基板，包括交叉设置的数据线和栅线，以及由数据线和栅线围设形成的像素单元，所述像素单元包括TFT和像素电极，所述TFT包括栅电极、源电极和漏电极，所述源电极与所述数据线连接，其中，相邻两行栅线位于被驱动的相邻两行像素单元之间，所述漏电极与所述像素电极的连接处对应于驱动同一列的所述相邻两像素单元的相邻两行栅线之间或栅线上。

本实用新型实施例提供的一种液晶显示面板，包括对盒设置的彩膜基板和阵列基板，其中阵列基板为上述的阵列基板。

本实用新型实施例提供的一种TFT阵列基板及液晶显示面板，通过将像素电极和TFT漏极连接位置设置在相邻像素单元的栅线之间或栅线上，并将像素单元上下相邻的两个像素单元的栅极交错相向，由于上下相邻两个像素单元TFT相向，所以BM遮挡的边缘和栅极线边缘平行，会形成和公共电极对应的宽度相同的外形平整的BM遮挡，这样所有像素单元的开口大小相同外观一致，避免了相邻行BM差异而产生的横纹。

附图说明

图1为现有技术中TFT阵列基板结构的俯视示意图；

图2（a）为本实用新型实施例提供的一种TFT阵列基板结构的俯视示意图；

图2（b）为本实用新型实施例提供的另一种TFT阵列基板结构的俯视示意图；

图3为本实用新型实施例提供的一种采用L型TFT的阵列基板结构的俯视示意图；

图4为本实用新型实施例提供的一种采用U型TFT的阵列基板结构的俯视示意图；

图5为本实用新型实施例提供的一种TFT阵列基板的各个制备步骤完成时的阵列基板的结构剖面图，该剖面对应图3中a-a’方向；

图6为本实用新型实施例提供的一种TFT阵列基板的各个步骤完成时的阵列基板的结构剖面图，右侧虚线框中部分对应图3中C中心的截面；

图7为本实用新型实施例提供的另一种TFT阵列基板的剖面示意图；

图8为本实用新型实施例提供的一种液晶显示面板的俯视示意图。

具体实施方式

本实用新型实施例提供了一种阵列基板及液晶显示面板，用以增大像素单元开口率，避免因为相邻行黑矩阵不同而造成的显示出现横纹，提高显示质量。

本实用新型实施例提供的一种阵列基板，包括交叉设置的数据线和栅线，以及由数据线和栅线围设形成的像素单元，所述像素单元包括薄膜晶体管TFT和像素电极，所述TFT包括栅电极、源电极和漏电极，所述源电极与所述数据线连接，其中，相邻两行栅线位于被驱动的相邻两行像素单元之间，所述漏电极与所述像素电极的连接处对应于驱动同一列的所述相邻两像素单元的相邻两行栅线之间或栅线上。

进一步的，所述漏电极与所述像素电极通过第一过孔连接。

进一步的，所述栅线包括凸起结构，驱动同一列的所述相邻两像素单元的所述相邻两行栅线的凸起结构交错相向。