[实用新型]一种用于半导体陶瓷电容器介质芯片烧结的匣钵

说明书

技术领域

本实用新型涉及陶瓷电容器的制造设备，具体涉及一种用于半导体陶瓷电容器介质芯片烧结的匣钵。

背景技术

进行半导体陶瓷电容器介质芯片的烧结时，通常将陶瓷电容器介质生坯放置到匣钵中，再将多个匣钵叠置，送入烧结炉进行烧结。

现有的匣钵包括匣钵主体和多个支撑块，匣钵主体和支撑块由刚玉莫来石材料制成一体；匣钵主体包括底板和侧壁，底板和侧壁围成一顶部具有开口的腔体，该腔体用于装载陶瓷电容器介质生坯；支撑块设于侧壁顶部，多个匣钵叠置时，上层匣钵的底板处在下层匣钵的支撑块上，相邻两支撑块之间的缺口构成用于排放陶瓷电容器介质生坯中的有机成分（如粘结剂）的通道。

在高温烧结过程中，匣钵表层往往会有一些刚玉莫来石材料脱落，上一层匣钵的底板下表面脱落的刚玉莫来石材料掉入下一层匣钵中，附着在陶瓷电容器介质生坯的表面上，与陶瓷电容器介质材料发生低固熔反应，以致在烧成的半导体陶瓷电容器介质芯片上出现孔洞。上述孔洞会降低半导体陶瓷电容器介质芯片的抗电强度，影响最终半导体陶瓷电容器产品的绝缘性能。

发明内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种用于半导体陶瓷电容器介质芯片烧结的匣钵，这种匣钵能够防止在高温烧结过程中刚玉莫来石材料脱落并附着在下一层匣钵中的陶瓷电容器介质生坯上。采用的技术方案如下：

一种用于半导体陶瓷电容器介质芯片烧结的匣钵，包括匣钵主体和多个支撑块，匣钵主体和支撑块由刚玉莫来石材料制成一体，匣钵主体包括底板和侧壁，底板和侧壁围成一顶部具有开口的腔体，支撑块设于侧壁顶部，其特征是：所述底板的下表面上涂覆有氧化锆层。

优选上述氧化锆层的厚度为0.3－0.7毫米。

氧化锆的熔点高达2680℃，而半导体陶瓷电容器介质芯片的烧结温度通常在1250℃左右，因此在烧结过程中氧化锆层上一般不会有氧化锆脱落；而且，氧化锆不会与陶瓷电容器介质材料发生低固熔反应，因此即使氧化锆层上有少量氧化锆脱落，也不会导致烧成的半导体陶瓷电容器介质芯片上出现孔洞而影响到半导体陶瓷电容器产品的耐电压性能。进行半导体陶瓷电容器介质芯片的烧结时，陶瓷电容器介质生坯装在匣钵的腔体中，多个匣钵叠置后，上一层匣钵的氧化锆层遮挡住下一层匣钵腔体顶部的开口，因此上一层匣钵脱落的刚玉莫来石材料不会掉入下一层匣钵的腔体中，从而有效防止所脱落的刚玉莫来石材料附着在陶瓷电容器介质生坯的表面上。因此，本实用新型的匣钵通过在其底板的下表面上涂覆上氧化锆层，能够防止在高温烧结过程中刚玉莫来石材料脱落并附着在下一层匣钵内的陶瓷电容器介质生坯上，避免因陶瓷电容器介质材料与刚玉莫来石材料发生低固熔反应而导致在烧成的半导体陶瓷电容器介质芯片上出现孔洞的情况的发生，从而确保半导体陶瓷电容器介质芯片的抗电强度，使最终制得的半导体陶瓷电容器产品具有较佳的绝缘性能。

附图说明

图1是本实用新型优选实施例的结构示意图；

图2是图1所示的匣钵的使用状态示意图。

具体实施方式

如图1所示，这种用于半导体陶瓷电容器介质芯片烧结的匣钵包括匣钵主体1和多个支撑块2，匣钵主体1和支撑块2由刚玉莫来石材料制成一体；匣钵主体1包括底板11和侧壁12，底板11和侧壁12围成一顶部具有开口的腔体13；支撑块2设于侧壁12顶部；底板11的下表面上涂覆有氧化锆层3，氧化锆层3的厚度为0.5毫米。

参考图2，进行半导体陶瓷电容器介质芯片的烧结时，将待烧结的陶瓷电容器介质生坯5装在匣钵的腔体13中，然后将多个装载有陶瓷电容器介质生坯5的匣钵叠置（如图2所示的五个匣钵上下叠置）；多个匣钵叠置时，上层匣钵的氧化锆层3处在下层匣钵的支撑块2上，相邻两支撑块2之间的缺口4构成用于排放陶瓷电容器介质生坯中的有机成分（如粘结剂）的通道，并且上一层匣钵的氧化锆层3遮挡住下一层匣钵的腔体13顶部的开口。烧结过程中，底板11的下表面没有刚玉莫来石材料脱落，上层匣钵的侧壁12外表面所脱落的刚玉莫来石材料掉在下层匣钵外侧，而不会掉入下一层匣钵的腔体13中并附着在陶瓷电容器介质生坯5的表面上。