[实用新型]背触点－太阳能电池

权利要求书

1.背触点－太阳能电池（100），具有单晶质硅基底、p型掺杂的硅基底或n型掺杂的硅基底（101）和设置在所述硅基底（101）的背面（R）上的p型掺杂区域（602），该p型掺杂区域被p型掺杂得比所述硅基底（101）的p型掺杂更高；以及具有设置在所述硅基底（101）的背面（R）上的n型掺杂区域（203、203A），该n型掺杂区域被n型掺杂得比所述硅基底（101）的n型掺杂更高，其特征在于：在所述硅基底（101）的正面（F）上设置有另外的p型掺杂区域（601），并且设置在所述硅基底（101）的背面（R）上的p型掺杂区域（602）与设置在所述硅基底（101）的背面（R）上的n型掺杂区域（203、203A）彼此之间具有高度偏差。

2.如权利要求1所述的背触点－太阳能电池（100），其特征在于：设置在所述硅基底（101）的背面（R）上的p型掺杂区域（602）相对于所述硅基底（101）的正面（F）所具有的距离比设置在所述硅基底（101）的背面（R）上的n型掺杂区域（203、203A）相对于所述硅基底的正面所具有的距离更小。

3.如权利要求1或2之任一项所述的背触点－太阳能电池（100），其特征在于：设置在所述硅基底（101）的正面（F）上的另外的p型掺杂区域（601）和设置在所述硅基底（101）的背面（R）上的p型掺杂区域（602）具有相同的掺杂度和相同的掺杂轮廓。