[实用新型]高压功率开关保护装置

权利要求书

1.一种高压功率开关保护装置，高压电源正极VDD依次连接高压功率开关（10）、负载（20）后接高压电源的地，负载（20）两端并联有续流反向二极管D5，高压功率开关（10）的三级接有保护装置（30），其特征在于：所述保护装置（30）由监测及控制电路（31）、复位电路（32）构成，所述监测及控制电路（31）有一个输入端V0与控制信号（40）相连，监测及控制电路（31）有四个输出端，其中三个输出端V1、V2、V3与高压功率开关（10）的三级相连，另一个输出端V4连接复位电路（32）的输入端V5，复位电路（32）输出端V6输出信号至监测及控制电路（31）的输入端V0。

2.如权利要求1所述的高压功率开关保护装置，其特征在于：所述监测及控制电路（31）包括高压驱动芯片N1，所述高压驱动芯片N1的引脚1、4、5、8接地，引脚9、12、16接参考地GND1，引脚14通过电容C2接参考地GND1，引脚2、13接+5V电压；高压驱动芯片N1的引脚2、5之间依次连接有电阻R1和电容C1，所述电阻R1、电容C1之间引出一条支路与高压驱动芯片N1的引脚3相连，并作为监测及控制电路（31）的输出端V4与复位电路（32）输入端V5相连；高压驱动芯片N1的引脚6、7相连并作为监测及控制电路（32）的输入端V0与控制信号（40）相连；高压驱动芯片N1的引脚9、11之间依次连接有稳压二极管D3和电阻R3，所述稳压二极管D3的正极接高压驱动芯片N1的引脚9并作为监测及控制电路（31）的一个输出端V3与高压功率开关（10）相连，所述电阻R3和稳压二极管D3之间引出一条支路作为监测及控制电路（31）的一个输出端V2与高压功率开关（10）相连；高压驱动芯片N1的引脚14经过电阻R2连接二极管D1的正极，二极管D1的负极与稳压二极管D2的正极相连，稳压二极管D2的负极作为监测及控制电路（31）的一个输出端V1与高压功率开关（10）相连。

3.如权利要求1所述的高压功率开关保护装置，其特征在于：所述复位电路（32）包括复位芯片N2，所述复位芯片N2的引脚1作为复位电路（32）的输入端V5与监测及控制电路（31）相连，引脚2接+5V电压，引脚3接地，引脚2、3之间连接有电容C3；三极管Q1的基极通过电阻R4、二极管D4接+5V电压，所述二极管D4的负极与+5V电压相连，所述电阻R4、二极管D4间引出一条支路与复位芯片N2的引脚8相连；所述三极管Q1的基极和发射极之间连接有电阻R5，三极管Q1的发射极接地，集电极作为复位电路（32）的输出端V6与监测及控制电路（31）的输入端V0相连。

4.如权利要求1或2所述的高压功率开关保护装置，其特征在于：所述高压功率开关（10）为高压功率MOSFET管，所述高压功率MOSFET管的漏极与高压电源正极VDD、监测及控制电路（31）中稳压二极管D2的负极相连，高压功率MOSFET管的源极与负载（20）、监测及控制电路（31）中稳压二极管D3的正极相连，高压功率MOSFET管的栅极与监测及控制电路（31）中稳压二极管D3的负极相连。

5.如权利要求1或2所述的高压功率开关保护装置，其特征在于：所述高压功率开关（10）为高压IGBT模块，所述高压IGBT模块的集电极与高压电源正极VDD、监测及控制电路（31）中稳压二极管D2的负极相连，高压IGBT模块的发射极与负载、监测及控制电路（31）中稳压二极管D3的正极相连，高压IGBT模块的栅极与监测及控制电路（31）中稳压二极管D3的负极相连。

6.如权利要求1或3所述的高压功率开关保护装置，其特征在于：所述复位电路（32）中复位芯片N2的引脚7作为另一个输出端V7连接MCU或指示灯（50）。