[实用新型]一种耐高温橡胶吸嘴有效
申请号: | 201220697732.7 | 申请日: | 2012-12-17 |
公开(公告)号: | CN203013699U | 公开(公告)日: | 2013-06-19 |
发明(设计)人: | 奚耀鑫 | 申请(专利权)人: | 颀中科技(苏州)有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 杨林洁 |
地址: | 215021 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 耐高温 橡胶 | ||
技术领域
本实用新型涉及半导体芯片封装领域,尤其涉及一种封装用耐高温橡胶吸嘴。
背景技术
在芯片封装制程中,耐高温橡胶吸嘴吸住芯片线路面,翻转后送至高温热压头,而热压头温度在400℃以上,橡胶吸嘴大多也是光滑的,因此在工作过程中,橡胶吸嘴表面是和芯片全部接触的,较长时间频繁接触后,橡胶吸嘴表面受高温影响会有熔融、龟裂等现像,会污染芯片线路,并且吸取芯片稳定性也下降,产生吸歪、掉落等问题,需要更换新的吸嘴。
因此有必要提供一种新的耐高温橡胶吸嘴来解决上述问题。
实用新型内容
本实用新型涉及一种改进的耐高温橡胶吸嘴。
为达到上述实用新型目的,本实用新型提供了一种耐高温橡胶吸嘴,所述橡胶吸嘴表面具有颗粒状凸起,所述橡胶吸嘴上设有凹槽和真空孔相连。
作为本实用新型的进一步改进,所述凹槽设于所述橡胶吸嘴中心,所述颗粒状凸起位于所述凹槽周边。
作为本实用新型的进一步改进,所述橡胶吸嘴为长方形。
作为本实用新型的进一步改进,所述真空孔为圆孔或方孔。
作为本实用新型的进一步改进,所述真空孔数量为多个。
与现有技术相比,本实用新型所提供的耐高温吸嘴,利用颗粒状凸起,减少了橡胶吸嘴和高温芯片的接触面积,延长了吸嘴的使用时间和寿命,降低了生产成本。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的有关本实用新型的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型之耐高温橡胶吸嘴一实施例之剖面图;
图2为本实用新型之耐高温橡胶吸嘴一实施例之仰视图;
图3为本实用新型之耐高温橡胶吸嘴另一实施例之仰视图。
其中,附图标记为:
橡胶吸嘴,1;颗粒状凸起,2;凹槽,3;真空孔,4;颗粒状凸起,5;凹槽,6;橡胶吸嘴,7;真空孔,8。
具体实施方式
以下将结合附图所示的各实施例对本实用新型进行详细描述。但这些实施例并不限制本实用新型,本领域的普通技术人员根据这些实施例所做出的结构、方法、或功能上的变换均包含在本实用新型的保护范围内。
参图1和图2所示,为本实用新型一实施例的耐高温橡胶吸嘴1,橡胶吸嘴1设计为长方形,在其表面设有颗粒状凸起2,在橡胶吸嘴1中间设有凹槽3,凹槽3和真空孔4相连,真空孔4为圆孔或方孔。在橡胶吸嘴1工作时,通过真空孔4对凹槽3的作用,形成真空吸力,将待封装芯片吸起,与橡胶吸嘴1接触,由于颗粒状凸起2的存在,使得高温芯片与橡胶吸嘴1的接触面积减少,从而减少变形和改善污染状况,延长橡胶吸嘴1的使用寿命。
如图3所示,在本实用新型另一实施例中,为了保证橡胶吸嘴7有足够的真空吸力,在凹槽6中设计为2个真空孔8,当然,也可设置更多的真空孔,快速形成足够大的吸附力,颗粒状凸起5分布在橡胶吸嘴7的边缘。
所述颗粒状凸起可通过粗化处理,或利用模具实现,此为本领域普通技术人员所习知的技术,在此不作赘述。
本实用新型所提供的的耐高温橡胶吸嘴,对橡胶吸嘴表面通过特殊的粗化处理,利用颗粒状凸起,减少了橡胶吸嘴和高温芯片的接触面积,延长了吸嘴的使用时间和寿命,降低了生产成本。
应当理解,虽然本说明书按照实施方式加以描述,但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案,说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见,本领域技术人员应当将说明书作为一个整体,各实施方式中的技术方案也可以经适当组合,形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
上文所列出的一系列的详细说明仅仅是针对本实用新型的可行性实施方式的具体说明,它们并非用以限制本实用新型的保护范围,凡未脱离本实用新型技艺精神所作的等效实施方式或变更均应包含在本实用新型的保护范围之内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造