[实用新型]等离子体处理腔室及其射频匹配电路有效
申请号: | 201220705760.9 | 申请日: | 2012-12-19 |
公开(公告)号: | CN202978850U | 公开(公告)日: | 2013-06-05 |
发明(设计)人: | 梁洁;罗伟义 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)有限公司 |
主分类号: | H03H7/38 | 分类号: | H03H7/38;H01J37/32 |
代理公司: | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人: | 张静洁;徐雯琼 |
地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 等离子体 处理 及其 射频 匹配 电路 | ||
1.一种应用于等离子体处理腔室的射频匹配电路,所述的射频匹配电路可切换地耦合两个偏置频率中的一个和一个源频率在一个阴极上,其包含:一个被调谐以在一个低于10MHz的第一偏置频率下运行的第一匹配网络,一个被调谐以在一个高于第一偏置频率但低于15MHz的第二偏置频率下运行的第二匹配网络,一个被调谐以在一个高于所述第二偏置频率的源频率下运行的第三匹配网络,以及,一个被调谐以使其中心频率与所述第二偏置频率相等的并联谐振电路,其特征在于,所述射频匹配电路还包含:接地的屏蔽板,所述的屏蔽板设置在第一匹配网络的前端与第三匹配网络的前端之间或第二匹配网络的前端与第三匹配网络的前端之间。
2.如权利要求1所述的射频匹配电路,其特征在于,所述的屏蔽板设置在第一匹配网络的后端与并联谐振电路之间。
3.如权利要求1所述的射频匹配电路,其特征在于,所述的屏蔽板设置在第二匹配网络的后端与并联谐振电路之间。
4.如权利要求1所述的射频匹配电路,其特征在于,所述的屏蔽板为金属板。
5.如权利要求4所述的射频匹配电路,其特征在于,所述的金属板为铜板。
6.如权利要求4所述的射频匹配电路,其特征在于,所述的金属板为铝板。
7.如权利要求1所述的射频匹配电路,其特征在于,所述第一偏置频率围为2MHZ,所述第二偏置频率为13MHZ,所述源频率为60MHZ。
8.如权利要求1所述的射频匹配电路,其特征在于,所述射频匹配电路设置在一个箱体中。
9.如权利要求1所述的射频匹配电路,其特征在于,所述箱体的侧壁是接地处理的,其中,所述屏蔽板接触于所述侧壁以达到接地。
10.一种等离子体处理腔室,其特征在于,包含权利要求1~9中任一项所述的射频匹配电路。
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