[实用新型]触控电极结构有效
| 申请号： | 201220708966.7 | 申请日： | 2012-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN203117930U | 公开（公告）日： | 2013-08-07 |
| 发明（设计）人： | 刘振宇;李禄兴 | 申请（专利权）人： | 宸鸿光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/041 | 分类号： | G06F3/041 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台湾114台北*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电极 结构 | ||
1.一种触控电极结构，其特征在于，包括：
一基板，该基板界定有一感测区与一围绕于该感测区的引线区；
一电极层，设置于该基板上，且该电极层分为一蚀刻区与一非蚀刻区；
一第一防蚀刻光学层，设置于该电极层的非蚀刻区上；
一第二防蚀刻光学层，设置于该第一防蚀刻光学层和该基板上，且该第一防蚀刻光学层与该第二防蚀刻光学层至少裸露部分位于该引线区内的该非蚀刻区的电极层；
一信号引线，设置于该引线区内，且电性连接该裸露的非蚀刻区的电极层。
2.根据权利要求1所述的触控电极结构，其特征在于，所述电极层上更形成有一保护层，且该保护层设置于该电极层与该第一防蚀刻光学层之间。
3.根据权利要求2所述的触控电极结构，其特征在于，所述保护层的厚度为至50nm至500nm。
4.根据权利要求2所述的触控电极结构，其特征在于，所述第一防蚀刻光学层的折射率至少比所述保护层的折射率大0.1。
5.根据权利要求1或4所述的触控电极结构，其特征在于，所述第二防蚀刻光学层的折射率至少比所述第一防蚀刻光学层的折射率大0.1。
6.根据权利要求1所述的触控电极结构，其特征在于，所述第二防蚀刻光学层上形成有镂空区域，所述第一防蚀刻光学层上形成有对应于该镂空区域的贯穿孔，所述信号引线位于该第二防蚀刻光学层上，且通过该镂空区域及该贯穿孔电性连接该裸露的非蚀刻区的电极层。
7.根据权利要求1所述的触控电极结构，其特征在于，所述信号引线设置于该基板上。
8.根据权利要求1所述的触控电极结构，其特征在于，所述第一防蚀刻光学层的厚度为0.05um至5um。
9.根据权利要求1所述的触控电极结构，其特征在于，所述第二防蚀刻光学层的厚度为0.05um至5um。
10.根据权利要求1所述的触控电极结构，其特征在于，所述第一防蚀刻光学层和第二防蚀刻光学层采用可透视的绝缘材料。
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