[实用新型]电子束泵浦式紫外线金属表面处理系统有效
申请号: | 201220712123.4 | 申请日: | 2012-12-20 |
公开(公告)号: | CN203056369U | 公开(公告)日: | 2013-07-10 |
发明(设计)人: | 张学渊;赵健;梁忠辉;钟伟杰;唐伟;夏忠平 | 申请(专利权)人: | 上海显恒光电科技股份有限公司 |
主分类号: | H01S5/20 | 分类号: | H01S5/20;H01S5/024;B23K26/00 |
代理公司: | 上海精晟知识产权代理有限公司 31253 | 代理人: | 何新平 |
地址: | 201210 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子束 泵浦式 紫外线 金属表面 处理 系统 | ||
技术领域
本实用新型涉及表面处理领域,具体涉及紫外表面处理领域。
背景技术
紫外光波长比可见光短,但比X射线长的电磁辐射。紫外光在电磁波谱中范围波长为10-400 nm。这范围内开始于可见光的短波极限,而与长波X 射线的波长相重叠。紫外光被划分为A 射线、B 射线和C 射线(简称UVA、UVB 和UVC),波长范围分别为400-315nm,315-280nm,280-190nm。
一般工业或高科技领域使用的一些材料具有非常高的性能,对环境也非常的有好处,但这些材料的接着性、印涂性等一般都非常差。处理中需要用到UV改性。改性的基本的反应就是UV引起的氧化反应。UV照射固体表面后,表面的污染物被氧化,而后被分解成CO2和H2O等易挥发性物质,最终挥发消失。并且表面形成有利表面接着的如OH,COO,CO,COOH等亲水性原子团,被改性的表面接着性得到飞跃性地提高。
UV光源技术的进步保证了UV/O3表面改性技术充分发挥其突出的优越性。UV/O3表面改性技术因能处理得到极高的清洁度与表面接着性,在固体表面处理中越来越得到广泛的应用。
该技术具有如下特点:1、大气中处理,简单、方便、环保,无二次污染,无需加热、药液等处理。
2、精度极高,单分子层以下,从来处理方法难以想象的接着性可以得到。
3、仅需短时间(秒单位)照射,发挥强大的处理能力。
4、对绝大多数塑料成型品照射有效,适用性广;可避免大量消耗药液、热能等,运行成本低。
综上所述,该技术具有很多优点,但是现有的技术还存在功耗高、维护成本高、工作效率低等不足。
实用新型内容
本实用新型的目的在于,提供一种电子束泵浦式紫外线金属表面处理系统,解决以上技术问题。
本实用新型所解决的技术问题可以采用以下技术方案来实现:
电子束泵浦式紫外线金属表面处理系统包括一反应室、一清洗执行系统,所述清洗执行系统连接一紫外光源,以及一控制系统,其特征在于:
所述紫外光源采用一电子束激发紫外光源,所述电子束激发紫外光源包括一电致发光半导体机构,还包括一激励源,所述激励源采用一电子枪系统;
所述电致发光半导体机构设置在所述电子枪系统的靶向方向上,所述电致发光半导体机构连接一电极;
所述电子束激发紫外光源还设有一用于透射出紫外线的出光口。
通过将传统的紫外线金属表面处理系统中的紫外光源替换为新型的电子束激发紫外光源,减小设备体积、降低功耗并且提高了特定波段紫外光的纯度。电子束激发紫外光源通过电子束为电致发光半导体机构提供电流,并通过所述电极形成电流回路。
所述出光口朝向所述反应室。以便进行精密清洗。
所述出光口处设有一电动调光机构,所述电动调光机构连接所述控制系统。以便通过控制系统调整光强、焦点等光学参数。
所述反应室为一密封腔体,在所述反应室上设有视窗,所述视窗采用钴玻璃。通过视窗观察反应状况,钴玻璃屏蔽掉大量紫外线。
或者所述反应室内设有一摄像头,所述摄像头连接一位于所述反应室外的成像系统,以便于观察反应状况。
所述电致发光半导体机构生成在一反光金属层上,并所述反光金属层连接所述电极。所发出的紫外光线经过反射后从出光口射出。
或者,所述电致发光半导体机构生成在一导电透明基片上,并将所述导电透明基片连接所述电极。所发出的紫外线经过所述导电透明基片透射后,从所述出光口射出。
所述电致发光半导体机构包含至少两层层叠的电致发光半导体层,构成半导体发光结构。
这些电致发光半导体层的材料可以是晶格匹配的,也可以是晶格不匹配的。这些电致发光半导体层可以是有应变的,也可以是没有应变的。
相邻的两层所述电致发光半导体层为禁带宽度不同的电致发光半导体层,从而在新组成的材料的能带结构上形成单势能阱或是多势能阱的结构。以便于提高转换效率和调控光的波长。这些势能阱结构有利于约束半导体导带和价带上的载流子于特定的能量状态上,从而达到提高转换效率的目的。
所述半导体发光结构包括至少两种不同材质的所述电致发光半导体层,且包含至少三层所述电致发光半导体层,相邻的两层所述电致发光半导体层为不同材质的所述电致发光半导体层。
具体的可以为:所述半导体发光结构包括两种不同材质的所述电致发光半导体层,且包含至少三层所述电致发光半导体层,相邻的两层所述电致发光半导体层为不同材质的所述电致发光半导体层,即,两种材质的所述电致发光半导体层交替排列构成层叠式结构。
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