[实用新型]电子枪激发电致紫外发光系统有效
申请号: | 201220712215.2 | 申请日: | 2012-12-20 |
公开(公告)号: | CN203176744U | 公开(公告)日: | 2013-09-04 |
发明(设计)人: | 张学渊;赵健;梁忠辉;钟伟杰;唐伟;夏忠平 | 申请(专利权)人: | 上海显恒光电科技股份有限公司 |
主分类号: | F21K99/00 | 分类号: | F21K99/00 |
代理公司: | 上海精晟知识产权代理有限公司 31253 | 代理人: | 何新平 |
地址: | 201210 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子枪 激发 紫外 发光 系统 | ||
1.电子枪激发电致紫外发光系统,所述电子枪激发电致紫外发光系统包括一电致发光半导体机构,还包括一激励源,其特征在于,所述激励源采用一电子枪系统;
所述电致发光半导体机构设置在所述电子枪系统的靶向方向上,所述电致发光半导体机构连接一电极;
所述电子枪激发电致紫外发光系统还设有一用于透射出紫外线的光出射口。
2.根据权利要求1所述的电子枪激发电致紫外发光系统,其特征在于:所述电致发光半导体机构包含至少两层层叠的电致发光半导体层,构成半导体发光结构。
3.根据权利要求2所述的电子枪激发电致紫外发光系统,其特征在于:所述半导体发光结构包括至少两种不同材质的所述电致发光半导体层,且包含至少三层所述电致发光半导体层,相邻的两层所述电致发光半导体层为不同材质的所述电致发光半导体层。
4.根据权利要求3所述的电子枪激发电致紫外发光系统,其特征在于:所述半导体发光结构包括两种不同材质的所述电致发光半导体层,且包含至少三层所述电致发光半导体层,相邻的两层所述电致发光半导体层为不同材质的所述电致发光半导体层,即,两种材质的所述电致发光半导体层交替排列构成层叠式结构。
5.根据权利要求2所述的电子枪激发电致紫外发光系统,其特征在于:所述电致发光半导体机构依次为第一限制层、至少两层所述电致发光半导体层、第二限制层,以及反光金属层,所述反光金属层上设有反光层;所述反光层的反射方向朝向所述光出射口;所述第一限制层朝向电子枪方向。
6.根据权利要求1所述的电子枪激发电致紫外发光系统,其特征在于:所述电致发光半导体机构是一半导体紫外激光谐振腔,所述半导体紫外激光谐振腔内设有半导体结构,所述半导体结构生成在衬底上,所述衬底上设有高禁带半导体层。
7.根据权利要求6所述的电子枪激发电致紫外发光系统,其特征在于:所述半导体结构包括至少两种不同材质的所述高禁带半导体层,且包含至少三层所述高禁带半导体层,相邻的两层所述高禁带半导体层为不同材质的所述高禁带半导体层。
8.根据权利要求7所述的电子枪激发电致紫外发光系统,其特征在于:所述半导体结构包括两种不同材质的所述高禁带半导体层,且包含至少三层所述高禁带半导体层,相邻的两层所述高禁带半导体层为不同材质的所述高禁带半导体层,即,两种材质的所述高禁带半导体层交替排列构成层叠式结构。
9.根据权利要求8所述的电子枪激发电致紫外发光系统,其特征在于:所述半导体结构中包括至少两层III-V族半导体材质的高禁带半导体层。
10.根据权利要求9所述的电子枪激发电致紫外发光系统,其特征在于:所述半导体结构中包括一层II-VI族半导体材质的高禁带半导体层。
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