[实用新型]一种TFT阵列基板及显示装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及显示领域，尤其涉及一种TFT(Thin FilmTransistor，薄膜场效应晶体管)阵列基板及显示装置。

背景技术

目前，为了实现高分辨率，高开口率以及GOA(Gate Driver onArray，阵列基板行驱动)技术的应用，AD-SDS(Advanced-SuperDimensional Switching，简称为ADS，高级超维场开关)型阵列基板从最初的6次掩膜工艺转化为7次掩膜工艺。

在现有技术中，应用7次掩膜：栅金属层掩膜，有源层掩膜，栅绝缘层掩膜，第一电极层掩膜，源漏金属层掩膜，钝化层掩膜以及第二金属层掩膜来制作完成阵列基板。

上述阵列基板的制作应用了7次掩膜工艺，应用掩膜工艺次数较多，导致产品的产能下降，且制作成本较高。

实用新型内容

本实用新型的实施例提供一种TFT阵列基板及显示装置，可以减少进行掩膜工艺即构图工艺的次数，降低工艺复杂度及制作成本。

为达到上述目的，本实用新型的实施例采用如下技术方案：

一种TFT阵列基板，包括设置在基板上的包括栅极的图案，包括源漏电极的图案，包括第一电极的图案，还包括：通过一次构图工艺形成的带有过孔的栅绝缘层图案和包括有源层的图案，其中，所述包括栅极的图案至少包括栅极和栅极走线，所述栅绝缘层的过孔位于所述栅极走线的上方，所述包括有源层的图案位于所述栅极，以及所述栅绝缘层的过孔周边区域的上方。

优选的，所述TFT阵列基板还包括：钝化层图案以及包括第二电极的图案。

所述包括第一电极的图案和所述包括第二电极的图案同层设置，所述包括第一电极的图案包含多个第一条形电极，所述包括第二电极的图案包含多个第二条形电极，所述第一条形电极和所述第二条形电极间隔设置。或者，所述包括第一电极的图案和所述包括第二电极的图案异层设置，其中位于上层的电极图案包含多个条形电极，位于下层的电极图案包含多个条形电极或为平板形。

优选的，所述包括源漏电极的图案至少包括源漏电极以及覆盖所述栅绝缘层的过孔的连接金属层，所述连接金属层通过所述过孔与所述栅极走线连接。

优选的，所述钝化层图案包括钝化层过孔，所述钝化层过孔位于所述连接金属层的上方。

优选的，所述包括第二电极的图案包括第二电极以及覆盖所述钝化层过孔的连接电极，所述连接电极用于连接外部输入信号和所述连接金属层。

本实用新型还提供一种显示装置，包括上述的阵列基板。

上述技术方案提供的一种TFT阵列基板及显示装置，通过一次构图工艺，形成所述带有过孔的栅绝缘层图案和包括有源层的图案，与现有技术中的通过两次构图工艺分别完成带有过孔的栅绝缘层图案和包括有源层的图案相比，减少了进行构图工艺即掩膜工艺的次数，降低工艺复杂度及制作成本。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；

图2～图8为本实用新型实施例提供的一种制作过程中的基板的结构示意图。

附图标记：

11-包括栅极的图案，12-半色调或灰色调掩膜板，14-栅绝缘层图案，15-包括有源层的图案，16-第一电极，17-包括源漏电极的图案，18-钝化层图案，19-第二电极，20-连接电极；111-栅极，112-栅极走线，131-光刻胶完全去除部分，132-光刻胶半保留部分，1331-第一光刻胶完全保留部分，1332-第二光刻胶完全保留部分，171-漏极，172-源极，173-连接金属层。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。

本实用新型实施例提供了一种TFT阵列基板，包括设置在基板上的包括栅极的图案，包括源漏电极的图案，包括第一电极的图案，以及通过一次掩膜工艺形成的带过孔的栅绝缘层图案和包括有源层的图案，其中，所述包括栅极的图案至少包括栅极和栅极走线，所述栅绝缘层的过孔位于所述栅极走线的上方，所述包括有源层的图案位于所述栅极，以及所述栅绝缘层的过孔周边区域的上方。