[实用新型]一种肖特基二极管有效
| 申请号： | 201220718786.7 | 申请日： | 2012-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN203260589U | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 王艳春 | 申请（专利权）人： | 宁波比亚迪半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 315800 浙江省宁*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 肖特基 二极管 | ||
【权利要求书】：
1.一种肖特基二极管，其特征在于，包括：阴极金属层；
形成在所述阴极金属层之上的重掺第一类型掺杂衬底层；
形成在所述重掺第一类型掺杂衬底层之上的轻掺第一类型掺杂外延层；
形成在所述轻掺第一类型掺杂外延层之上的阳极金属层，其中，所述轻掺第一类型掺杂外延层与所述阳极金属层的界面处形成了肖特基势垒区；以及
形成在所述肖特基势垒区和轻掺第一类型掺杂外延层之中的至少一个第二类型掺杂扩散区，其中，所述第二类型掺杂扩散区与所述阳极金属层形成欧姆接触，
其中，多个所述第二类型掺杂扩散区总面积小于所述肖特基势垒区面积的一半，并且相邻两个所述第二类型掺杂扩散区的间隔相等且大于所述第二类型掺杂扩散区的宽度与深度之和。
2.如权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，还包括：
形成在所述轻掺第一类型掺杂外延层的顶部表面的、且位于所述至少一个第二类型掺杂扩散区的外围的第二类型掺杂保护环。
3.如权利要求2所述的肖特基二极管，其特征在于，还包括：
形成在所述第二类型掺杂保护环之上的边缘二氧化硅保护层。
4.如权利要求3所述的肖特基二极管，其特征在于，所述第二类型掺杂扩散区和所述第二类型掺杂保护环的掺杂浓度相等。
5.如权利要求4所述的肖特基二极管，其特征在于，所述第二类型掺杂扩散区的形状为正方形、圆形、六边形或八边形。
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