[实用新型]高粘结太阳能电池背膜有效
申请号: | 201220724230.9 | 申请日: | 2012-12-24 |
公开(公告)号: | CN203085591U | 公开(公告)日: | 2013-07-24 |
发明(设计)人: | 魏陆平 | 申请(专利权)人: | 浙江晟蓝新材料有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;B32B27/06 |
代理公司: | 浙江永鼎律师事务所 33233 | 代理人: | 陆永强 |
地址: | 311817 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 粘结 太阳能电池 | ||
技术领域
本实用新型属于新能源技术领域,涉及太阳能利用,尤其是涉及一种高粘结太阳能电池背膜。
背景技术
太阳能电池板通常是一个叠层结构,主要包括玻璃表层、EVA密封层、太阳能电池片、EVA密封层和太阳能电池背膜。其中太阳能电池片被两层EVA密封层密封包裹。太阳能电池背膜在太阳能电池中所占成本比例约为5%,但对电池的整体机械性能、密封性能、使用寿命、输出功率和安全可靠性起到非常关键的作用。性能差的太阳能电池背膜无法保证太阳能电池的可靠性、稳定性和耐久性,使太阳能电池板在使用时容易出现脱层、龟裂、气泡、变黄等不良反应,从而造成电池模块脱落、电池片滑移、电池有效输出功率降低等情况。更危险的是电池组件会在较低电压和电流值的情况下出现电打弧现象,引起电池组件燃烧并促发火灾,造成人员损害和财产损失。而且,太阳能电池背膜安装时必须严格区分安装面,较为不便。
为了提高太阳能电池背膜的性能,人们进行了长期的探索,现有技术中出现了大量针对太阳能电池背膜进行改进的方案。例如,中国专利文献公开了一种太阳能电池背膜[申请号:201210048866.0],包括PET基层和氟层,所述的PET基层的两侧均设有氟层,所述的氟层组成主要为四氟氟树脂和钛白粉。
上述方案在一定程度上改进了现有技术,具有结构简单,安装方便的特点。然而上述方案存在基层与氟层配合不够稳固,粘结力不够,会出现脱层现象等缺陷。
发明内容
本实用新型的目的是针对上述问题,提供一种密封性好,能够有效提高粘结性能和绝缘性能的高粘结太阳能电池背膜。
为达到上述目的,本实用新型采用了下列技术方案:本高粘结太阳能电池背膜,包括呈片状的膜基层,在膜基层的两侧均覆合有高粘底涂液层,在高粘底涂液层外侧均涂覆有由氟涂料涂布而成的氟涂料层。高粘底涂液层的设置能够增强太阳能电池背膜的密封性能,并具有较高的粘结度。
进一步地,在上述的高粘结太阳能电池背膜中,所述的高粘底涂液层由马来酸轩接枝EVA材料制成。
更进一步地,在上述的高粘结太阳能电池背膜中,所述的膜基层由PET材料制成。这里的膜基层的材质可以采取多种各样的替代方式。
在上述的高粘结太阳能电池背膜中,所述的高粘底涂液层的厚度为0.01μm-2μm。
在上述的高粘结太阳能电池背膜中,所述的膜基层的厚度为0.15mm-0.25mm,所述的氟涂料层的厚度为0.05mm-0.08mm。
与现有的技术相比,本高粘结太阳能电池背膜的优点在于:设计合理,结构简单,成本低廉,密封性好,能够有效提高粘结性能和绝缘性能。
附图说明
图1是本实用新型提供的放大结构示意图。
图中,膜基层1、高粘底涂液层2、氟涂料层3。
具体实施方式
如图1所示,本高粘结太阳能电池背膜,包括呈片状的膜基 层1,在膜基层1的两侧均覆合有高粘底涂液层2,在高粘底涂液层2外侧均涂覆有由氟涂料涂布而成的氟涂料层3。高粘底涂液层2的设置能够增强太阳能电池背膜的密封性能,并具有较高的粘结度。
作为一种较为优化的技术方案,在本实施例中,上述的高粘底涂液层2由马来酸轩接枝EVA材料制成,膜基层1由PET材料制成,高粘底涂液层2的厚度为0.01μm-2μm,膜基层1的厚度为0.15mm-0.25mm,,氟涂料层3的厚度为0.05mm-0.08mm。
本文中所描述的具体实施例仅仅是对本实用新型精神作举例说明。本实用新型所属技术领域的技术人员可以对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代,但并不会偏离本实用新型的精神或者超越所附权利要求书所定义的范围。
尽管本文较多地使用了膜基层1、高粘底涂液层2、氟涂料层3等术语,但并不排除使用其它术语的可能性。使用这些术语仅仅是为了更方便地描述和解释本实用新型的本质,把它们解释成任何一种附加的限制都是与本实用新型精神相违背的。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的