[实用新型]变压器

说明书

技术领域

本创作是有关于一种变压器，且特别是有关于一种可有效压抑电磁干扰(Electromagnetic interference，EMI)之变压器。 

背景技术

图1为习知之电源转换电路的示意图，而图2为图1之电源转换电路之变压器的局部剖面示意图。请同时参考图1与图2，习知之电源转换电路100包括电源电路110、输出电路120以及变压器130，其中电源电路110可经由晶体管Q₁之切换开关机制，而将能量透过变压器130以传递至输出电路120，藉此输出稳定之直流电压。 

变压器130包括绕线架(bobbin)132、初级绕线组134以及次级绕线组136，其中初级绕线组134与次级绕线组136是环绕于绕线架132上，并透过变压器130之铁芯(图未示)进行电磁耦合以将能量从初级绕线组134传递至次级绕线组136。 

具体而言，初级绕线组134与次级绕线组136是分别耦接至电源电路110与输出电路120，其中初级绕线组134具有4层绕线L11～L14，而次级绕线组136具有1层绕线L21。 

承接上述，初级绕线组134之第1层绕线L11与第4层绕线L14之头端是分别连接到电源电路110，而初级绕线组134之第1层绕线L11至第4层绕线L14是依序相连。亦即，第1层绕线L11之尾端是连接至第2层绕线L12之尾端，而第2层绕线L12之头端是连接至第3层绕线L13之头端，且第3层绕线L13之尾端是连接至第4层绕线L14之尾端。 

一般来说，电压器130内部会形成许多寄生电容，而各层绕线之间所形成之层间电容即为寄生电容之一种。如此一来，当变压器130于使用时，初 级绕线组134之各层绕线L11～L14间便会因为压差而造成层间电流。具体而言，当电源电路110之晶体管Q₁导通时，初级绕线组134之各层绕线L11～L14间会一致产生方向朝下的层间电流。相对地，当电源电路110之晶体管Q₁断开时，初级绕线组134之各层绕线L11～L14间会一致产生方向朝上的层间电流(图未示)。 

当晶体管Q₁于高频切换开关时，前述之层间电流亦会不断地切换方向而形成差模电流，进而产生电磁干扰，造成电源转换电路100之质量降低。为改善前述层间电流之问题，习知技艺亦有提出不同之绕线架构以降低电磁干扰。 

图3为习知不同绕线架构之之变压器的局部剖面示意图。请同时参考图1与图3，变压器230包括绕线架232、初级绕线组234以及次级绕线组236，其中初级绕线组234具有4层绕线L11～L14，而次级绕线组236具有1层绕线L21。。 

承接上述，初级绕线组134之第1层绕线L11与第3层绕线L13之头端是分别连接到电源电路110，其中第1层绕线L11之尾端是连接至第2层绕线L12之尾端，而第2层绕线L12之头端是连接至第4层绕线L14之头端，且第4层绕线L14之尾端是连接至第3层绕线L13之尾端，如此以形成回路。 

类似前述，初级绕线组234之各层绕线L11～L14间会因为压差而造成层间电流。不同的是，当电源电路110之晶体管Q₁导通时，初级绕线组234之第1层绕线L11与第2层绕线L12之间会产生方向朝下的层间电流，而第2层绕线L12与第3层绕线L13之间亦会产生方向朝下的层间电流，但第3层绕线L13与第4层绕线L14之间会产生方向朝上的层间电流。 

由于一层方向朝上的层间电流可以局部抵销二层方向朝下的层间电流，因此可改善差模电流所产生之电磁干扰。然而以整体观之，仍有一层之层间电流未被抵销，故仍有相当之电磁干扰会造成质量降低。 

发明内容

有鉴于此，本创作之目的是提供一种变压器，藉由相互抵销层间电流， 可有效压抑电磁干扰以提升电性质量。 

为达上述或是其它目的，本创作提出一种变压器，适于耦接于电源电路与输出电路之间。此变压器包括绕线架、初级绕线组以及次级绕线组，其中初级绕线组是环绕绕线架，并耦接电源电路，而次级绕线组是环绕绕线架，并耦接输出电路。初级绕线组具有2N+1层绕线，而当变压器于使用时，初级绕线组之2N+1层绕线会形成2N层层间电流，其中N层层间电流之方向与另外N层层间电流之方向相反。