[实用新型]防刮伤的掩模板有效
申请号: | 201220727198.X | 申请日: | 2012-12-26 |
公开(公告)号: | CN203021639U | 公开(公告)日: | 2013-06-26 |
发明(设计)人: | 唐军 | 申请(专利权)人: | 唐军;钱超 |
主分类号: | C23C14/04 | 分类号: | C23C14/04;C23C14/24;H01L51/56 |
代理公司: | 广州市南锋专利事务所有限公司 44228 | 代理人: | 张志醒 |
地址: | 518000 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 防刮伤 模板 | ||
技术领域
本实用新型涉及OLED显示及照明技术领域,特别涉及一种防刮伤的掩模板。
背景技术
有机电致发光器件,具有自发光、反应时间快、视角广、成本低、制造工艺简单、分辨率佳及高亮度等多项优点,被认为是下一代的平面显示器新兴应用技术。在 OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机电致发光二极管) 技术中,真空蒸镀中的掩模板技术是一项非常重要和关键的技术,该技术的等级直接影响 OLED 产品的质量和制造成本。
传统工艺的蒸镀用掩模板一般采用电铸、激光或蚀刻工艺在掩模板上加工蒸镀孔,在蒸镀时,有机发光材料被加热成蒸汽,通过蒸镀孔蒸镀到显示屏的玻璃基板上。由于玻璃基板的有ITO的一面直接与掩模板接触,而且在蒸镀时,通常需要用强力磁铁将掩模板贴附在显示屏的玻璃基板上,而加工出的蒸镀孔的边缘常常会有毛刺,非常容易刮伤玻璃基板上的ITO层,导致玻璃基板的损伤,这对于OLED显示屏的加工是非常不利的。
发明内容
本实用新型的主要目的在于,针对上述现有技术中的不足,提供一种防刮伤的掩模板,可以避免蒸镀孔上的毛刺对玻璃基板造成损伤,从而提高良品率。
为实现上述发明目的,本实用新型采用以下技术方案。
本实用新型提供一种防刮伤的掩模板,包括ITO接触面和蒸镀面,在所述蒸镀面上设置有蒸镀孔,所述蒸镀孔自所述蒸镀面贯穿至所述ITO接触面,在所述ITO接触面上靠近蒸镀孔的边缘设置有半刻槽,所述半刻槽与所述蒸镀孔连通。
优选地,所述半刻槽的截面为矩形或锥形。
优选地,所述蒸镀孔为一个或者多个方孔或圆孔。
优选地,所述掩模板的材料为镍钴合金、镍铁合金、铟瓦合金中的任意一种,厚度为18~45μm。
本实用新型采用在ITO接触面上靠近蒸镀孔的边缘设置半刻槽,可有效避免位于该边缘处的玻璃基板被毛刺刮伤,从而可以提高OLED显示屏加工的良品率,减小材料损失,进而降低生产成本。
附图说明
图1是本实用新型实施例中防刮伤的掩模板的结构示意图。
图2是本实用新型实施例中防刮伤的掩模板的使用状态示意图。
本实用新型目的的实现、功能特点及优点将结合实施例,参照附图做进一步说明。
具体实施方式
以下将结合附图及具体实施例详细说明本实用新型的技术方案,以便更清楚、直观地理解本实用新型的发明实质。
图1是本实用新型实施例中防刮伤的掩模板的结构示意图;图2是本实用新型实施例中防刮伤的掩模板的使用状态示意图。
参照图1和图2所示,本实用新型提供一种防刮伤的掩模板1,该掩模板1包括ITO接触面11和蒸镀面12,在蒸镀时,ITO接触面11与OLED显示屏的玻璃基板3贴合,蒸镀面12朝向蒸发源。在蒸镀面12上设置有蒸镀孔2,蒸镀孔2自蒸镀面12贯穿至ITO接触面11,并且,在ITO接触面11上靠近蒸镀孔2的边缘设置有半刻槽4,该半刻槽4与蒸镀孔2连通,形成凹陷区。
具体地,本实施例的半刻槽4的截面为矩形,从而上述凹陷区为一个方形或圆柱形的凹坑,或者,上述半刻槽4的截面为锥形,从而上述凹陷区为一个圆锥形或棱锥形。
本实施例的掩模板1上的蒸镀孔2可以是一个或多个,可以是方孔,也可以是圆孔,可以应用于多种蒸镀场合,适于生产多种形状和大小的OLED显示屏。
同时,本实施例的掩模板1的材料可以是镍钴合金、镍铁合金、铟瓦合金中的任意一种,厚度为18~45μm。由于在掩模板1上加工出蒸镀孔2后,在ITO接触面11上是往往会形成毛刺,在蒸镀时,需要将掩模板1与玻璃基板3具有ITO层的一面紧密贴合在一起,由于毛刺的存在,极易对ITO层造成刮伤,从而损坏玻璃基板3,甚至使玻璃基板3报废,造成良品率的下降,增加生产成本。而本实施例在ITO接触面11上靠近蒸镀孔2的边缘设置有上述半刻槽4,可将蒸镀孔2边缘的毛刺去除,有效避免ITO层和玻璃基板3被毛刺刮伤,从而提高显示屏的良品率。
综上所述,本实用新型采用在ITO接触面上靠近蒸镀孔的边缘设置半刻槽,可有效避免位于该边缘处的玻璃基板被毛刺刮伤,从而可以提高OLED显示屏加工的良品率,减小材料损失,进而降低生产成本。
以上所述仅为本实用新型的优选实施例,并非因此限制其专利范围,凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构变换,直接或间接运用在其他相关的技术领域,均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。
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