[实用新型]一种双面受光太阳电池有效
| 申请号： | 201220727652.1 | 申请日： | 2012-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN203103335U | 公开（公告）日： | 2013-07-31 |
| 发明（设计）人： | 胡海平;班群;方结彬;何达能;陈刚 | 申请（专利权）人： | 广东爱康太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/068 | 分类号： | H01L31/068;H01L31/0224;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人： | 颜希文 |
| 地址： | 528100 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 双面 太阳电池 | ||
【权利要求书】：
一种双面受光太阳电池，所述太阳电池采用P型硅片为硅衬底作为所述太阳电池的基区，其特征在于，所述硅衬底的前表面由内至外依次设有发射极、前钝化及减反射层和前电极，所述硅衬底的背表面设有硼背场、背钝化及减反射层和背电极。
如权利要求1所述的双面受光太阳电池，其特征在于，所述背钝化及减反射层为电介质薄膜和氮化硅薄膜形成的复合层。
如权利要求2所述的双面受光太阳电池，其特征在于，所述电介质薄膜设于所述硼背场上，所述氮化硅薄膜设于所述电介质薄膜上。
如权利要求2所述的双面受光太阳电池，其特征在于，所述电介质薄膜为二氧化硅层。
如权利要求4所述的双面受光太阳电池，其特征在于，所述二氧化硅层的厚度为5nm‑80nm。
如权利要求2所述的双面受光太阳电池，其特征在于，所述电介质薄膜为三氧化二铝层。
如权利要求6所述的双面受光太阳电池，其特征在于，所述三氧化二铝层的厚度为5nm‑50nm。
如权利要求1所述的双面受光太阳电池，其特征在于，所述硼背场的厚度为0.5um‑5um。
如权利要求1所述的双面受光太阳电池，其特征在于，所述前钝化及减反射层为氮化硅薄膜。
如权利要求1所述的双面受光太阳电池，其特征在于，所述发射极为N型发射极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
