[实用新型]一种可调节的有源负载电路有效
申请号: | 201220728854.8 | 申请日: | 2012-12-26 |
公开(公告)号: | CN203025328U | 公开(公告)日: | 2013-06-26 |
发明(设计)人: | 杨思佳;孙元鹏;李迪伽;聂开云 | 申请(专利权)人: | 深圳市振华微电子有限公司 |
主分类号: | G01R31/40 | 分类号: | G01R31/40 |
代理公司: | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人: | 张全文 |
地址: | 518000 广东省深圳市南山区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 调节 有源 负载 电路 | ||
技术领域
本实用新型属于负载电路领域,尤其涉及一种可调节的有源负载电路。
背景技术
在电子产品的测试中,尤其是在功率电源产品,如DC/DC电源的测试,常用到负载电阻,或电子负载。负载电阻发热较大,商用电子负载成本高,体积大,均给使用带来不便。
现在常用的负载为电子负载、功率电位器等。但电子负载成本较高,相对体积较大;功率点位器,精度就相对较低,阻值不够稳定,使用周期短。
实用新型内容
本实用新型提供了一种可调节的有源负载测试电路,旨在解决现有负载电路或功率电位器成本较高,相对体积较大,且总量较大,精度较低,阻值不够稳定,使用周期短的问题。
为了解决上述技术问题,本实用新型提供了一种可调节的有源负载测试电路,所述有源负载电路包括:
分流电阻R1、分流电阻R2、分流电阻R3、分流电阻R4、分流电阻R5、分流电阻R6、分流电阻R7、分流电阻R8、电位器RL、滤波电容C1、运算放大器OP以及并联的多个NMOS管;
所述运算放大器OP的电源端接+VIN驱动电压,所述分流电阻R1和所述分流电阻R6串联连接在所述分流电阻R2的第二端与所述电位器RL的第一端和第三端之间,所述电位器RL的第二端接地,所述分流电阻R2的第一端与所述运算放大器OP的电源端连接,所述分流电阻R7连接在所述分流电阻R6与所述电位器RL的公共连接端与所述运算放大器OP的同相输入端之间,所述滤波电容C1第一端接所述运算放大器OP的同相输入端,所述滤波电容C1第二端接地,所述分流电阻R5连接在所述运算放大器OP的反相输入端与输出端之间,所述运算放大器OP的接地端接地,所述分流电阻R4连接在所述运算放大器OP的输出端与所述多个NMOS管的栅极之间,所述多个NMOS管的源级通过所述分流电阻R8接地,所述多个NMOS管的漏极通过所述分流电阻R3与所述分流电阻R2的第二端连接。
进一步地,所述多个NMOS管为2个NMOS管,所述2个NMOS管的栅极分别连接在一起通过所述分流电阻R4与所述运算放大器的输出端连接,所述2个NMOS管的源级分别连接在一起通过所述分流电阻R8与地连接,所述2个NMOS管的漏极通过所述分流电阻R3与所述分流电阻R2的第二端连接。
本实用新型提供的可调节的有源负载电路由常见的分立元件构成,通过调节电位器RL使其通过电流与通过运算放大器OP的电流形成比较电路,使本应该由电位器RL承担的负载功率转换到NMOS管上,通过调节电位器RL来控制NMOS管所承受的功率,并联的NMOS管越多,承受的负载功率越大,可调节的负载范围也越大,通过运算放大器OP提高了负载调节的精度,同时负载的阻值更稳定且易调节,使用寿命更长。解决了现有负载电路或功率电位器成本较高,相对体积较大,精度较低,阻值不够稳定,使用周期短的问题。
附图说明
图1是本实用新型实施例提供的可调节的有源负载测试电路的电路图。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
以下结合具体实施例对本发明的具体实现进行详细描述:
如图1所示,本实用新型实施例提供的可调节的有源负载的电路,包括:
分流电阻R1、分流电阻R2、分流电阻R3、分流电阻R4、分流电阻R5、分流电阻R6、分流电阻R7、分流电阻R8、电位器RL、滤波电容C1、运算放大器OP以及并联的多个NMOS管;
运算放大器OP的电源端接+VIN驱动电压,分流电阻R1和分流电阻R6串联连接在分流电阻R2的第二端与电位器RL的第一端和第三端之间,电位器RL的第二端接地,分流电阻R2的第一端与运算放大器OP的电源端连接,分流电阻R7连接在分流电阻R6与电位器RL的公共连接端与运算放大器OP的同相输入端之间,滤波电容C1第一端接运算放大器OP的同相输入端,滤波电容C1第二端接地,分流电阻R5连接在运算放大器OP的反相输入端与输出端之间,运算放大器OP的接地端接地,分流电阻R4连接在运算放大器OP的输出端与多个NMOS管的栅极之间,多个NMOS管的源级通过分流电阻R8接地,多个NMOS管的漏极通过分流电阻R3与分流电阻R2的第二端连接。
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