[实用新型]一种修调电阻有效
| 申请号： | 201220728878.3 | 申请日： | 2012-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN203179876U | 公开（公告）日： | 2013-09-04 |
| 发明（设计）人： | 杨彦涛;陈文伟;刘慧勇;韩健;江宇雷;雷辉 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电阻 | ||
1.一种修调电阻，包括：
一半导体衬底；
一介质层，形成于所述半导体衬底上；
一修调熔丝，由熔丝淀积形成于所述介质层上，所述修调熔丝具有一熔断区域和两端，所述熔断区域中具有改变电流密度大小的修调结构以及在所述修调熔丝的两端分别具有一连接垫；
一钝化层，形成在所述修调熔丝和介质层上，所述钝化层具有对应所述修调结构的修调窗口和分别具有对应所述连接垫的一压点窗口。
2.如权利要求1所述的修调电阻，其特征在于，所述修调结构为弯曲形状。
3.如权利要求2所述的修调电阻，其特征在于，所述弯曲形状的宽度与除所述弯曲形状以外的熔断区域的宽度相同或变窄。
4.如权利要求3所述的修调电阻，其特征在于，当所述弯曲形状的宽度变窄时，所述弯曲形状以外的熔断区域的宽度大于所述弯曲形状的宽度的1.5倍。
5.如权利要求4所述的修调电阻，其特征在于，所述弯曲形状为至少一个拐角，以每个所述拐角为分界点的两边熔丝的夹角为1-179度。
6.如权利要求5所述的修调电阻，其特征在于，以所述拐角为分界点的两边熔丝的宽度相同或不相同。
7.如权利要求4所述的修调电阻，其特征在于，所述弯曲形状为至少一弧形，每段所述弧形为圆弧形或椭圆弧形的弧度为1-359度。
8.如权利要求4所述的修调电阻，其特征在于，所述介质层具有至少一阶梯，覆盖于每个所述阶梯上的所述弯曲形状为一台阶。
9.如权利要求8所述的修调电阻，其特征在于，所述台阶的高度大于等于所述熔丝厚度的0.1倍。
10.如权利要求6、7或9所述的修调电阻，其特征在于，所述修调窗口涵盖住所述熔断区域，所述修调窗口的形状与熔断区域的形状相同或不同。
11.如权利要求10所述的修调电阻，其特征在于，所述修调窗口的形状与熔断区域的形状相同时，所述修调窗口大小大于等于熔断区域的两倍。
12.如权利要求1所述的修调电阻，其特征在于，所述介质层为单层介质层或复合介质层。
13.如权利要求1所述的修调电阻，其特征在于，所述介质层的厚度为
14.如权利要求1所述的修调电阻，其特征在于，所述熔丝采用的材料为多晶硅时，所述熔丝的厚度为
15.如权利要求1所述的修调电阻，其特征在于，所述熔丝采用的材料为金属时，所述金属采用的材料为形成在所述修调电阻上用于布线连接的金属铝、铜、铝合金或铝铜合金，所述熔丝的厚度为
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