[实用新型]一种氮化铝晶体生长制备炉有效

申请号：	201220730933.2	申请日：	2012-12-26
公开（公告）号：	CN203049096U	公开（公告）日：	2013-07-10
发明（设计）人：	徐永亮;施海斌;张国华	申请（专利权）人：	上海昀丰新能源科技有限公司
主分类号：	C30B29/40	分类号：	C30B29/40;C30B23/00
代理公司：	北京集佳知识产权代理有限公司 11227	代理人：	魏晓波
地址：	201315 上海市浦东新***	国省代码：	上海;31
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摘要：
搜索关键词：	一种氮化晶体生长制备
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【权利要求书】：

1.一种氮化铝晶体生长制备炉，包括保温装置和内部的筒状带底加热装置（2），其特征在于，还包括由所述氮化铝晶体生长制备炉底部穿入所述筒状带底加热装置（2）内部的坩埚升降轴（4），所述坩埚升降轴（4）与所述筒状带底加热装置（2）同轴，并可带动安装在其端部的坩埚（7）的下部暴露于所述筒状带底加热装置（2）之外。

2.根据权利要求1所述的氮化铝晶体生长制备炉，其特征在于，所述筒状带底加热装置（2）的侧面由多个电阻式钨棒加热器围成。

3.根据权利要求2所述的氮化铝晶体生长制备炉，其特征在于，多个所述电阻式钨棒加热器沿周向均匀分布，且相邻两根电阻式钨棒加热器之间的距离不大于5cm。

4.根据权利要求1所述的氮化铝晶体生长制备炉，其特征在于，所述保温装置包括：

套设在所述筒状带底加热装置（2）外侧的保温筒（6）；

设置于所述筒状带底加热装置（2）的下部，且与所述筒状带底加热装置（2）底部具有间隔的底部保温屏（5）；

设置于所述筒状带底加热装置（2）顶部且深入所述筒状带底加热装置（2）内部的顶部保温屏（1）。

5.根据权利要求4所述的氮化铝晶体生长制备炉，其特征在于，所述底部保温屏（5）和所述保温筒（6）均与所述筒状带底加热装置（2）同心设置，且所述底部保温屏（5）套设于所述保温筒（6）内部。

6.根据权利要求5所述的氮化铝晶体生长制备炉，其特征在于，所述保温筒（6）为整体加工成型的钨筒。

7.根据权利要求4所述的氮化铝晶体生长制备炉，其特征在于，还包括套设于所述保温筒（6）外侧的侧面保温屏（3）。

8.根据权利要求7所述的氮化铝晶体生长制备炉，其特征在于，还包括设置于所述氮化铝晶体生长制备炉底端的锆盘（8），所述锆盘（8）上设置有用于所述坩埚升降轴（4）穿过的通孔，且所述侧面保温屏（3）和所述底部保温屏（5）均设置于所述锆盘（8）上。

9.根据权利要求4所述的氮化铝晶体生长制备炉，其特征在于，所述底部保温屏（5）和顶部保温屏（1）均由多个钼片层和钨片层相间布置而成，并且所述钨片层由多个同心的钨片圆环构成，所述钼片层由多个同心的钼片圆环构成。

10.根据权利要求9所述的氮化铝晶体生长制备炉，其特征在于，还包括设置于所述筒状带底加热装置（2）开口端的带水冷的法兰，所述顶部保温屏（1）设置于所述法兰上。