[实用新型]一种用于MOCVD反应室的电磁加热装置有效
申请号: | 201220731752.1 | 申请日: | 2012-12-27 |
公开(公告)号: | CN202989278U | 公开(公告)日: | 2013-06-12 |
发明(设计)人: | 李志明;李金屏;江海鹰 | 申请(专利权)人: | 济南大学 |
主分类号: | C23C16/46 | 分类号: | C23C16/46 |
代理公司: | 济南泉城专利商标事务所 37218 | 代理人: | 李桂存 |
地址: | 250000 *** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 mocvd 反应 电磁 加热 装置 | ||
1.一种用于MOCVD反应室的电磁加热装置,包括石墨基座和线圈,其特征在于:所述石墨基座为圆柱形且线圈设置在石墨基座的下方,所述石墨基座上表面设置有向下凹陷的圆环形凹槽。
2.根据权利要求1所述用于MOCVD反应室的电磁加热装置,其特征在于:所述圆环形凹槽分为上下两级且均与石墨基座同心,上级圆环形凹槽的外直径大于下级圆环形凹槽的外直径,石墨基座中心设置有中心柱,所述中心柱的顶部与上级圆环形凹槽的底部在同一平面上。
3.根据权利要求1所述用于MOCVD反应室的电磁加热装置,其特征在于:所述下级圆环形凹槽的内半径是石墨基座半径的0.3倍,下级圆环形凹槽的外半径是石墨基座半径的0.8倍,下级圆环形凹槽的深度是石墨基座高度的0.7倍。
4.根据权利要求1所述用于MOCVD反应室的电磁加热装置,其特征在于:所述下级圆环形凹槽的深度大于上级圆环形凹槽的深度。
5.根据权利要求1所述用于MOCVD反应室的电磁加热装置,其特征在于:所述上级圆环形凹槽的外直径和深度与晶片的直径和厚度一致。
6.根据权利要求1所述用于MOCVD反应室的电磁加热装置,其特征在于:所述线圈以同心圆的方式均匀盘绕在石墨基座的下方。
7.根据权利要求1所述用于MOCVD反应室的电磁加热装置,其特征在于:所述线圈距石墨基座底部距离小于石墨基座的高度,线圈中心与最外层线圈的距离和石墨基座半径近似相等。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的