[实用新型]一种用于石墨舟烘舟工艺的晶片模型

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种半导体设备，特别是涉及一种用于石墨舟烘舟工艺的晶片模型。

背景技术

PECVD是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD)。PECVD具有基本温度低；沉积速率快；成膜质量好，针孔较少，不易龟裂等优点而被广泛应用于半导体行业中。

目前正常的PECVD工艺中，一个石墨舟循环利用约100次后要进行清洗，清洗之后首先要用烘舟设备进行烘舟，然后正常使用。现有技术中通常采用的有两种烘舟的办法，一种是空舟烘舟，烘舟后采用PECVD工艺镀出来的晶片101颜色不均匀，有明显色差，四周（扣点102位置）的颜色会发白，如图1所示，其中，图中黑点标记的为扣点102，位于距离较近的边角3.5cm~4.2cm；另一种是石墨舟的晶片槽中插满晶片模型（Dummy wafer）进行烘舟。利用晶片模型（Dummy wafer）进行烘舟后镀出来的晶片颜色比较均匀，单片色差少，如图2所示。因此，通常采用插满晶片模型（Dummy wafer）的方式进行烘舟。

现有的一种晶片模型201为与实际晶片大小形状相同的整片结构，如图3所示，这种晶片模型由于整片设计，需要采用较多的材料而成本较高，且容易造成浪费。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种用于石墨舟烘舟工艺的晶片模型，用于解决现有技术中晶片模型耗费材料过多而成本较高且容易造成浪费的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种用于石墨舟烘舟工艺的晶片模型，所述晶片模型包括一与所述石墨舟的晶片槽形状及大小相对应的环状主体以及一连接于该环状主体的手把。

作为本实用新型的用于石墨舟烘舟工艺的晶片模型的一种优选方案，所述环状主体四周的宽度为1cm~4cm。

进一步地，所述环状主体四周的宽度为2.5cm。

作为本实用新型的用于石墨舟烘舟工艺的晶片模型的一种优选方案，所述手把的长度为2cm~5cm。

进一步地，所述手把的长度为3.5cm。

作为本实用新型的用于石墨舟烘舟工艺的晶片模型的一种优选方案，所述晶片槽为矩形晶片槽，所述环形主体为矩形环状主体。

进一步地，所述手把连接于所述矩形环状主体一边的中部位置。

作为本实用新型的用于石墨舟烘舟工艺的晶片模型的一种优选方案，所述晶片模型为石墨材质的晶片模型。

如上所述，本实用新型提供一种用于石墨舟烘舟工艺的晶片模型，包括一与所述石墨舟的晶片槽形状及大小相对应的环状主体以及一连接于该环状主体的手把；其中，所述晶片模型为石墨材质的晶片模型；所述环状主体四周的宽度为1cm~4cm；所述手把的长度为2cm~5cm。本实用新型具有以下有益效果：晶片模型的中间部位镂空，大大地节省了材料，有利于降低成本；因为晶片模型中间镂空后难以正常自动上下料，故在晶片模型中加上一个手把，可以方便地进行插片操作。

附图说明

图1显示为现有技术空舟烘舟后镀出的晶片的表面结构示意图，其中，扣点的位置出现颜色发白的现象。

图2显示为现有技术满舟烘舟后镀出的晶片的表面结构示意图，其中，该晶片表面颜色比较均匀，单片色差少。

图3显示为现有技术满舟烘舟所采用的晶片模型的结构示意图，其中，该晶片模型为整片设计，需要较多的材料。

图4显示为本实用新型的用于石墨舟烘舟工艺的晶片模型的结构示意图，其中，该晶片模型为中部镂空设计，附带有手把，既有利于节约材料，也方便进行插片。

元件标号说明

301                        环状主体

302                        手把

W                          环状主体四周的宽度

L                          手把的长度

具体实施方式

以下由特定的具体实施例说明本实用新型的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本实用新型的其他优点及功效。