[实用新型]负电荷泵电路

权利要求书

1.一种负电荷泵电路，包括：

第一PMOS/NMOS开关对，耦合在负电压输出端和基准电势之间；

第二PMOS/NMOS开关对，耦合在所述负电压输出端和基准电势之间；

第一电容器，具有耦合到第一时钟信号的正节点和耦合到所述第一PMOS/NMOS开关对及所述第二PMOS/NMOS开关对的负节点，所述第一时钟信号配置为对所述第一电容器充电，所述负节点配置为控制所述第二PMOS/NMOS开关对的导通状态；

第二电容器，具有耦合到第二时钟信号的正节点和耦合到所述第二PMOS/NMOS开关对及所述第一PMOS/NMOS开关对的负节点，所述第二时钟信号配置为对所述第二电容器充电，所述负节点配置为控制所述第一PMOS/NMOS开关对的导通状态；

第一阻塞电路，耦合到所述第一PMOS/NMOS开关对的PMOS开关并耦合到所述基准电势，所述第一阻塞电路配置为防止所述第一电容器的负节点处的电荷经所述第一PMOS/NMOS开关对的PMOS开关泄露到所述基准电势；和

第二阻塞电路，耦合到所述第二PMOS/NMOS开关对中的PMOS开关并耦合到所述基准电势，所述第二阻塞电路配置为防止所述第二电容器的负节点处的电荷经所述第二PMOS/NMOS开关对的PMOS开关泄露到所述基准电势。

2.根据权利要求1所述的负电荷泵电路，其中，所述第一时钟信号与所述第二时钟信号交替在高电势状态和低电势状态之间切换。

3.根据权利要求1所述的负电荷泵电路，其中，当所述第一时钟信号处于低电势状态且所述第二时钟信号处于高电势状态时，所述第二电容器的负节点处的电荷被传输到所述负电压输出端。

4.根据权利要求1所述的负电荷泵电路，其中，当所述第一时钟信号处于高电势状态且所述第二时钟信号处于低电势状态时，所述第一电容器的负节点处的电荷被传输到所述负电压输出端。

5.根据权利要求1所述的负电荷泵电路，其中，所述第一阻塞电路和所述第二阻塞电路各自都包括：以正向偏置耦合在所述基准电势和相应的PMOS开关之间的二极管。

6.根据权利要求1所述的负电荷泵电路，其中，所述PMOS开关为隔离的PMOS器件，且各相应阻塞电路耦合在各相应的隔离的PMOS器件的N阱区域与所述基准电势之间。

7.根据权利要求1所述的负电荷泵电路，其中，所述第一阻塞电路配置为：当所述第一PMOS/NMOS开关对的PMOS开关处于关断或非导通状态时，防止所述第一电容器的负节点处的电荷经所述第一PMOS/NMOS开关对的PMOS开关泄露到所述基准电势。

8.根据权利要求1所述的负电荷泵电路，其中，所述第二阻塞电路配置为：当所述第二PMOS/NMOS开关对的PMOS开关处于关断或非导通状态时，防止所述第二电容器的负节点处的电荷经所述第二PMOS/NMOS开关对的PMOS开关泄露到所述基准电势。

9.一种负电荷泵电路，包括：

第一PMOS/NMOS开关对，耦合在负电压输出端和基准电势之间；

第二PMOS/NMOS开关对，耦合在所述负电压输出端和基准电势之间；

第一阻塞电路，耦合到所述第一PMOS/NMOS开关对的PMOS开关并耦合到所述基准电势，所述第一阻塞电路配置为防止所述第一PMOS/NMOS开关对的PMOS开关和NMOS开关之间的电荷经所述第一PMOS/NMOS开关对的PMOS开关泄露到所述基准电势；和

第二阻塞电路，耦合到所述第二PMOS/NMOS开关对的PMOS开关并耦合到所述基准电势，所述第二阻塞电路配置为防止所述第二PMOS/NMOS开关对的PMOS开关和NMOS开关之间的电荷经所述第二PMOS/NMOS开关对的PMOS开关泄露到所述基准电势。