[实用新型]功率放大器模组中砷化镓芯片的封装结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种封装结构，尤其是一种功率放大器模组中砷化镓芯片的封装结构，属于砷化镓芯片封装的技术领域。

背景技术

功率放大器模块（Power Amplifier Module）主要适用于无线射频装置，如手机内。一般地，功率放大器模块使用多芯片模块封装（Multi-chip Module，MCM），其中，功率放大器内的砷化镓（GaAs）芯片与硅（Si）芯片需固定于基板上，并以金线引线将芯片信号传递至基板，在借着基板内部线路和外引脚与印刷电路板（PCB）连接，其封装结构如图1所示。图1中，基板1上设置有砷化镓异质接面双极性晶体管（GaAs，HBT）5及CMOS芯片8，同时，基板1上内设置第一连接支撑体2及第二连接支撑体3，基板1上对应第一连接支撑体2及第二连接支撑体3的两侧设置连接电极4，砷化镓异质接面双极性晶体管5通过第一导电性胶层6放置在第二连接支撑体3上，CMOS芯片8通过第二导电性胶层10放置在第一连接支撑体2上，砷化镓异质接面双极性晶体管5通过第一连接线7与对应的连接电极4电连接，同时，CMOS芯片8通过第二连接线9与基板1上相应的连接电极4电连接，以形成所需的封装结构。

由于砷化镓异质接面双极性晶体管5（GaAs，HBT）为III-V族且厚度较薄（一般为75~100μm），在上片时易造成芯片裂化或暗裂；又上片作业须使用银浆制作第一导电性胶层6时容易污染砷化镓异质接面双极性晶体管5的表面，且银浆过多时溢胶至基板1上容易造成短路，影响功率放大器模块的使用。

发明内容

本实用新型的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种功率放大器模组中砷化镓芯片的封装结构，其结构紧凑，降低裂化或暗裂及表面污染的风险，避免溢胶造成的短路问题，安全可靠。

按照本实用新型提供的技术方案，所述功率放大器模组中砷化镓芯片的封装结构，包括基板及位于所述基板上的砷化镓异质接面双极性晶体管；所述基板的第二支撑连接体与砷化镓异质接面双极性晶体管之间设有晶体管连接支撑体，所述晶体管连接支撑体包括位于第二支撑连接体上的导电薄膜，砷化镓异质接面双极性晶体管通过导电薄膜支撑连接在第二支撑连接体上。

所述晶体管连接支撑体还包括导电薄膜上的金属层，所述金属层上设置第三导电性胶层，砷化镓异质接面双极性晶体管通过第三导电性胶层粘结在金属层上。

所述砷化镓异质接面双极性晶体管通过第一连接线与基板上的连接电极电连接。

所述基板上设置CMOS芯片，所述CMOS芯片通过第二导电性胶层粘结在基板的第一支撑连接体上，CMOS芯片通过第二连接线与基板上的连接电极电连接。

所述连接电极的厚度为12~18μm。

本实用新型的优点：砷化镓异质接面双极性晶体管通过晶体管连接支撑体与基板连接，晶体管连接支撑体包括导电薄膜、金属层及第三导电性胶层，通过晶体管连接支撑体的作用，能够避免对砷化镓异质接面双极性晶体管造成的暗裂或裂化，由于不采用流动性胶层，不会造成对砷化镓异质接面双极性晶体管表面污染及造成基板上的短路情况，金属层能够支撑散热，降低连接电极的厚度，降低加工成本，安全可靠。

附图说明

图1为现有功率放大器模组的封装结构示意图。

图2为本实用新型的封装结构示意图。

图3~图9为本实用新型具体实施工艺步骤示意图，其中，

图3为本实用新型金属板的结构示意图。

图4为本实用新型金属板上得到导电胶层后的结构示意图。

图5为本实用新型将砷化镓晶圆粘附在金属板后的结构示意图。

图6为本实用新型将金属板粘附在导电薄膜后的结构示意图。

图7为本实用新型粘附在UV膜后的结构示意图。

图8为本实用新型进行晶圆切割的结构示意图。

图9为本实用新型进行芯片粘附及焊线后得到所需封装结构的结构示意图。

附图标记说明：1-基板、2-第一支撑连接体、3-第二支撑连接体、4-连接电极、5-砷化镓异质接面双极性晶体管、6-第一导电性胶层、7-第一连接线、8-CMOS芯片、9-第二连接线、10-第二导电性胶层、11-第三导电性胶层、12-金属层、13-导电薄膜、14-金属板、15-导电胶层、16-砷化镓晶圆、17-导电性膜及18-UV膜。

具体实施方式

下面结合具体附图和实施例对本实用新型作进一步说明。