[实用新型]基于DDS 技术的指控通信干扰模拟器有效

专利信息
申请号: 201220745731.5 申请日: 2012-12-29
公开(公告)号: CN203057072U 公开(公告)日: 2013-07-10
发明(设计)人: 江志平;舒德军;成光 申请(专利权)人: 南京长峰航天电子科技有限公司
主分类号: H03D1/04 分类号: H03D1/04
代理公司: 广州天河互易知识产权代理事务所(普通合伙) 44294 代理人: 鲍子玉
地址: 210000 江苏省南京市高*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 基于 dds 技术 指控 通信 干扰 模拟器
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及一种基于DDS技术的指控通信干扰模拟器。 

背景技术

当指控通信干扰模拟器通过VCO(压控振荡器)产生各种类型的干扰信号时,由于VCO自身特性,其所产生的干扰信号频率稳定度不高,频率精度低,频漂性能差。当系统要求的稳频精度较高时,比如Hz级时,VCO产生的各种类型的干扰信号就不能满足要求。 

实用新型内容

为解决基于VCO(压控振荡器)技术的指控通信干扰模拟器产生的干扰信号稳频精度低,频漂性能差的问题,本实用新型提供了一种干扰信号频率稳定度高,频率精度高,频漂性能好的基于DDS技术的指控通信干扰模拟器,本实用新型的具体方案如下: 

一种基于DDS技术的指控通信干扰模拟器,包括: 

控制模块,所述控制模块根据所要产生的干扰信号参数计算DDS频率控制码; 

处理模块,所述处理模块与所述控制模块电连接,用于接收所述控制模块发送的DDS频率控制码; 

同步动态随机存储器(SDRAM),所述同步动态随机存储器(SDRAM)与所述处理模块电连接,用于存储DDS频率控制码; 

直接数字频率合成器(DDS),所述直接数字频率合成器(DDS)与所述控制模块电连接,用于生成各种类型的干扰信号。 

优选的,所述控制模块包括控制计算机。 

优选的,所述处理模块为现场可编程门阵列(FPGA)。 

优选的,所述同步动态随机存储器(SDRAM)为第二代双倍数据率同步动态随机存取存储器(DDR2 SDRAM)。 

优选的,还包括数模转换模块(DA),所述数模转换模块(DA)与所述处理模块电连接,用于调制波形监测。 

本实用新型提供的基于DDS技术的指控通信干扰模拟器能够产生各种类型的干扰信号,包括噪声调频干扰、函数扫频干扰、间断噪声干扰、杂乱脉冲干扰、噪声调频+函数扫频复合干扰,具有以下优点:(1)频率稳定度高,等同于时钟的稳定度;(2)频率精度高,达到Hz级;(3)频率分辨率高,达到1Hz级;(4)频率转换时间短,转换时间达到纳秒级。 

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本实用新型的进一步理解,构成本申请的一部分,并不构成对本实用新型的不当限定,在附图中: 

图1为本实用新型实施例系统结构示意图。 

具体实施方式

下面将结合附图以及具体实施例来详细说明本实用新型,在此本实用新型的示意性实施例以及说明用来解释本实用新型,但并不作为对本实用新型的限定。 

实施例 

如图1所示,一种基于DDS技术的指控通信干扰模拟器,包括: 

控制模块,本实施例中所述控制模块包括控制计算机1,所述控制计算机1根据所要产生的干扰信号参数计算DDS频率控制码; 

处理模块,本实施例中所述处理模块为现场可编程门阵列2(FPGA),具体型号为XC3S2000-5FG676,所述现场可编程门阵列2(FPGA)经电压转换芯片3,并通过控制总线、地址总线及数据总线与所述控制计算机1电连接,用于接收所述控制计算机1发送的DDS频率控制码; 

同步动态随机存储器(SDRAM),本实施例中所述同步动态随机存储器4(SDRAM)所述同步动态随机存储器4(SDRAM)为第二代双倍数据率同步动态随机存取存储器(DDR2 SDRAM),具体型号为MT47H64M16,其与所 述处理模块电连接,用于存储DDS频率控制码; 

直接数字频率合成器5(DDS),本实施例采用EUVIS公司的DS852芯片,其时钟频率达到2.4GHz,32bit频率控制字,频率更新周期高达8个时钟周期即达到3.3ns,根据DDS集成电路的指标,该指控通信干扰模拟器稳频精度高达1Hz,频率转换时间高达3.3ns,所述直接数字频率合成器5(DDS)与所述控制模块电连接,用于生成各种类型的干扰信号。 

作为上述实施例方案的改进,还包括数模转换模块6(DA),具体型号为AD9764,所述数模转换模块6(DA)与所述处理模块电连接,用于调制波形监测。 

通过上述实施例方案,工作时控制计算机1根据所要产生的干扰信号参数(调制带宽、调制信号样式、调制信号频率)将DDS频率控制码计算好,通过总线预先存入DDR2 SDRAM中,现场可编程门阵列2(FPGA)从DDR2SDRAM中读出DDS频率控制码并以100MHz的更新速度送至DDS从而产生干扰信号。 

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