[实用新型]薄膜开关线路连接方式有效

专利信息
申请号: 201220748709.6 申请日: 2012-12-29
公开(公告)号: CN203038830U 公开(公告)日: 2013-07-03
发明(设计)人: 陈先全 申请(专利权)人: 嘉兴淳祥电子科技有限公司
主分类号: H01H13/704 分类号: H01H13/704
代理公司: 北京立成智业专利代理事务所(普通合伙) 11310 代理人: 张江涵
地址: 314001 浙*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 薄膜开关 线路 连接 方式
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及一种电脑键盘用薄膜开关的结构,特别涉及一种薄膜开关线路连接方式。

背景技术

薄膜开关由面板、上电路、隔离层、下电路四部分组成,为轻触接通式常开开关,正常情况下薄膜开关的上、下触点呈断开状态。按下薄膜开关,上电路的触点向下变形,与下电路的极板接触导通,手指松开后,上电路触点反弹回来,电路断开,回路触发一个信号。薄膜开关结构严谨,密封性好。具有防潮湿,使用寿命长等特点。广泛应用于电子通讯、电子测量的仪器,工业控制,医疗设备,汽车工业,智能玩具,家用电器等领域。

现阶段,薄膜开关的结构多分为三种:1、单层线路式:此开关结构是将导电线路放在一层薄膜上,在按键上附涂有导电体,工作时将相应按键下的两条线路连通,完成按键功能;2、两层式:此开关结构是采用带有导电点的薄膜取代上一种方式中的按键上涂层,将薄膜开关做成两层方式;3、三层式:分别将导电线路相向的印刷在两张薄膜上形成上层导电线路和下层导电线路,并设有一中隔层将两张薄膜分隔开,其中中隔层上对应按键位置均设有一通孔,按键按下时,上层导电线路压下,与下层导电线路接通,完成功能。三层式的薄膜开关又有两种生产工艺,一是把线路设在一张薄膜上,再把它从此张薄膜中间对折,并在对折后的两层中间加一层中隔层。二是分别把导电线路印刷在两张薄膜上,把上层薄膜与中隔层和下层薄膜对应层叠,这种方式就需要有一处或多处能把下层导电线路与上层导电线路相连接的地方,行业中称此地方为导电胶区域。此导电胶区域需要用特殊的导电材料来连接上、下层导电线路形成回路。该导电材料一般采用异方性导电胶3M7303。由于导电材料本身价格较高,其生产成本较高,同时要另外在薄膜开关上贴附该导电材料,增加了工序的繁琐,且该步加工工序较长,影响了生产效率。且在贴附导电材料的过程中可能会发生损坏导电线路的事故。

发明内容

本实用新型提供一种薄膜开关线路连接方式,目的是解决现有技术问题,提供一种不需要另外贴附导电材料,可减少生产成本提高工作效率且不会损坏导电线路的薄膜开关线路方式。

本实用新型解决问题采用的技术方案是:

薄膜开关线路连接方式,包括分别印刷有导电线路的上线路薄膜和下线路薄膜,上层导电线路和下层导电线路相向设置;中隔层设置在上、下线路薄膜之间将两者隔离开,且中隔层上开设有一一对应按键的通孔,所述上线路薄膜和下线路薄膜上分别对应中隔层通孔位置的部分相互熔接在一起,其中熔接区域位于上线路薄膜、下线路薄膜上未印刷有导电线路的空白处,对应通孔部分的导电区域的上层导电线路和下层导电线路直接压紧接触在一起。

所述上线路薄膜和下线路薄膜通过超音波熔接方式熔接在一起。

所述相邻熔接区域间间隔一根导电线路。

本实用新型的有益效果:本实用新型中将导电材料去掉,不仅减少了材料的使用,节约了生产成本,同时节省了在薄膜开关上贴附的的步骤,避免了对导电线路的损害。尽管本申请中增加了对上层导电线路和下层导电线路的熔接步骤,但是采用了超声熔接方式进行熔接,只要将上线路薄膜和下线路薄膜放入设备中直接进行超声熔接即可。不需要额外的人工操作,且熔接时间非常短。而且熔接过程仅将上线路薄膜和下线路薄膜熔接在一起,不会对导电线路产生损害。因此总体而言,超声熔接步骤不会增加工艺的繁琐程度,而且使用的时间要远少于贴附导电材料的时间,提高了生产效率,提供产品的成品率。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图;

图2是线路板上熔接区域的位置关系图;

图3是上线路薄膜和下线路薄膜熔接的剖面图。

图中:1.上线路薄膜、2.下线路薄膜、3.上层导电线路、4.下层导电线路、5.中隔层、6.通孔、7.熔接区域、8.导电线路、9.空白处、12.开关引出线、13.下层导电点、14.上层导电点、31.导电区上层导电线路、41.导电区域的下层导电线路。

具体实施方式

以下结合附图和具体实施例对本实用新型做进一步详细说明。

如图1中所示的薄膜开关线路连接方式,包括分别印刷有导电线路的上线路薄膜1和下线路薄膜2,上层导电线路3和下层导电线路4相向设置。中隔层5设置在上线路薄膜1和下线路薄膜2之间将两者隔离开,且中隔层5上开设有一一对应按键的通孔6,所述上线路薄膜1和下线路薄膜2上分别对应中隔层通孔6位置的部分相互熔接在一起,其中熔接区域7位于上线路薄膜1、下线路薄膜2上未印刷有导电线路8的空白9处,对应通孔部分的导电区域的上层导电线路31和下层导电线路41直接压紧接触在一起。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于嘉兴淳祥电子科技有限公司,未经嘉兴淳祥电子科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201220748709.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top