[实用新型]晶舟有效
申请号: | 201220748836.6 | 申请日: | 2012-12-31 |
公开(公告)号: | CN203026490U | 公开(公告)日: | 2013-06-26 |
发明(设计)人: | 李军 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶舟 | ||
技术领域
本实用新型涉及半导体制造领域,尤其涉及一种晶舟。
背景技术
在半导体制造工艺中,通常使用晶舟装载晶圆进行工艺反应。请参阅图1和图2,现有的晶舟通常包括四根支撑杆11和两端板,所述四根支撑杆11平行设置并分布于同一圆周上,所述四根支撑杆11的两端分别通过所述两端板连接,所述四根支撑杆11的内侧对应设有用于支撑晶圆10的托板13,所述托板13的上表面水平设置。每个晶圆10通过四块对应的托板13支撑。
然而,一方面,由于托板13本身很难保证完全的平面度;另一方面,在一些高温制程中,例如栅氧化层工艺(GOX,即Gate oxide process)中,由于温度比较高(800~1000摄氏度),晶舟容易因高温而变形,使得四块对应的托板13中有一块托板13悬空,起不到支撑作用,导致晶圆10因不平稳而与该悬空的托板13发生震动摩擦,从而产生大量颗粒物质(particle),这些颗粒物质容易飘落至晶圆10上,最终导致产品良率降低。
因此,如何提供一种可以平稳支撑晶圆、减少颗粒物质产生的的晶舟是本领域技术人员亟待解决的一个技术问题。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种晶舟,可以平稳支撑晶圆,并可以减少晶圆和托板的接触面积,从而减少颗粒物质产生。
为了达到上述的目的,本实用新型采用如下技术方案:
一种晶舟,包括若干支撑杆和两端板,所述若干支撑杆平行设置并分布于同一圆周上,所述若干支撑杆的两端分别通过所述两端板连接,所述若干支撑杆的内侧对应设有用于支撑晶圆的托板,所述托板的支撑面向下倾斜。
优选的,在上述的晶舟中,所述托板的支撑面向下倾斜2~3度。
优选的,在上述的晶舟中,所述托板的支撑面向下倾斜2.5度。
优选的,在上述的晶舟中,所述若干支撑杆的数量是三根。
优选的,在上述的晶舟中,所述若干支撑杆中的两根支撑杆位于所述圆周的两端,另一根支撑杆分别与所述两根支撑杆的距离相等。
优选的,在上述的晶舟中,所述支撑杆和两端板为石英材质。
本实用新型提供的晶舟,通过将所述托板的支撑面向下倾斜,可以将原先晶圆和托板之间的面积触改成点线接触,从而减少晶圆和托板之间的接触面积,进而减少颗粒物质产生。此外,通过将现有的四根支撑杆改成三根支撑杆,采用三块托板对晶圆进行支撑,由于三点确定一个平面,从而可以使得晶圆得到更加平稳的支撑,进一步减少晶圆发生震动的可能性,从而减少颗粒物质产生,提高产品良率。
附图说明
本实用新型的晶舟由以下的实施例及附图给出。
图1是现有的晶舟的支撑杆的结构示意图;
图2是现有的四块托板支撑一晶圆的结构示意图;
图3是本实用新型一实施例的晶舟的结构示意图;
图4是本实用新型一实施例的晶舟的支撑杆的结构示意图;
图5是本实用新型一实施例的三块托板支撑晶圆的结构示意图。
图中,10、20-晶圆,11、21-支撑杆,12、22-端板,13、23-托板。
具体实施方式
以下将对本实用新型的晶舟作进一步的详细描述。
下面将参照附图对本实用新型进行更详细的描述,其中表示了本实用新型的优选实施例,应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本实用新型而仍然实现本实用新型的有益效果。因此,下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道,而并不作为对本实用新型的限制。
为使本实用新型的目的、特征更明显易懂,下面结合附图对本实用新型的具体实施方式作进一步的说明。需说明的是,附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比率,仅用以方便、明晰地辅助说明本实用新型实施例的目的。
请参阅图3至图5,其中,图3所示是本实用新型一实施例的晶舟的结构示意图;图4所示是本实用新型一实施例的晶舟的支撑杆的结构示意图;图5所示是本实用新型一实施例的三块托板支撑晶圆的结构示意图。
本实施例提供的晶舟,包括若干支撑杆21和两端板22,所述若干支撑杆21平行设置并分布于同一圆周上,所述若干支撑杆21的两端分别通过所述两端板22连接,所述若干支撑杆21的内侧对应设有用于支撑晶圆20的托板23,所述托板23的支撑面向下倾斜。通过将所述托板23的支撑面向下倾斜,可以将原先晶圆20和托板23之间的面积触改成点线接触,从而减少晶圆20和托板23之间的接触面积,进而减少颗粒物质产生。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造