[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201280001044.5 | 申请日： | 2012-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN102822998A | 公开（公告）日： | 2012-12-12 |
| 发明（设计）人： | 京野孝史;石原邦亮;八乡昭广;吉田乔久;上野昌纪;木山诚 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L21/02;H01L29/47;H01L29/872 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 韩峰;孙志湧 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：
支撑衬底（60），置于所述支撑衬底（60）上的导电层（50），以及置于所述导电层（50）上的至少一个III族氮化物半导体层（200）；其中，
在所述III族氮化物半导体层（200）之中，与所述导电层（50）相邻的导电层邻接III族氮化物半导体层（200c）具有n型导电类型、至多为1×107cm-2的位错密度以及至多为5×1018cm-3的氧浓度。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
所述导电层邻接III族氮化物半导体层（200c）具有至多为5×1017cm-3的氧浓度。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，
所述导电层邻接III族氮化物半导体层（200c）含有Al作为用于形成III族氮化物的III族元素。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
所述导电层邻接III族氮化物半导体层（200c）含有Al作为用于形成III族氮化物的III族元素。
5.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤：
准备第一复合衬底（1A、1B），所述第一复合衬底（1A、1B）具有接合于第一III族氮化物半导体层（210）的基底层（10）；
在所述第一复合衬底（1A、1B）的所述第一III族氮化物半导体层（210）上，生长至少一个第二III族氮化物半导体层（220）；
将临时支撑衬底（40）接合到所述第二III族氮化物半导体层（220），以形成第二复合衬底（2）；
从所述第二复合衬底（2）去除所述基底层（10）；
在所述第一III族氮化物半导体层（210）上形成导电层（50）；
将支撑衬底（60）接合到所述导电层（50），以形成第三复合衬底（3）；以及
从所述第三复合衬底（3）去除所述临时支撑衬底（40）；
其中，
所述第一III族氮化物半导体层（210）具有n型导电类型、至多为1×107cm-2的位错密度以及至多为5×1018cm-3的氧浓度。
6.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤：
准备第一复合衬底（1A、1B），所述第一复合衬底（1A、1B）具有接合于第一III族氮化物半导体层（210）的基底层（10）；
在所述第一复合衬底（1A、1B）的所述第一III族氮化物半导体层（210）上，生长至少一个第二III族氮化物半导体层（220）；
将临时支撑衬底（40）接合到所述第二III族氮化物半导体层（220），以形成第二复合衬底（2）；
从所述第二复合衬底（2）去除所述基底层（10）；
去除所述第一III族氮化物半导体层（210）；
在所述第二III族氮化物半导体层（220）上形成导电层（50）；
将支撑衬底（60）接合到所述导电层（50），以形成第四复合衬底（4）；以及
从所述第四复合衬底（4）去除所述临时支撑衬底（40）；
其中，
在所述第二III族氮化物半导体层（220）之中，与所述导电层（50）相邻的导电层邻接III族氮化物半导体层（220c）具有n型导电类型、至多为1×107cm-2的位错密度以及至多为5×1017cm-3的氧浓度。
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