[发明专利]碳化硅粉末和制造碳化硅粉末的方法无效
| 申请号： | 201280001101.X | 申请日： | 2012-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN102958834A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木信;井上博挥 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C01B31/36 | 分类号： | C01B31/36;C30B29/36 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碳化硅 粉末 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种碳化硅晶体生长用碳化硅粉末，其中，
所述碳化硅粉末通过对硅小片(1)与碳粉末(2)的混合物(3)进行加热并其后将所述混合物粉碎而形成，且基本由碳化硅构成。
2.根据权利要求1所述的碳化硅粉末，其中，
在所述碳化硅粉末中单质碳的含量为50质量%以下。
3.根据权利要求1所述的碳化硅粉末，其中，
在所述碳化硅粉末中单质碳的含量为10质量%以下。
4.根据权利要求1所述的碳化硅粉末，其中，
在所述碳化硅粉末中硼的含量为0.5ppm以下且铝的含量为1ppm以下。
5.根据权利要求1所述的碳化硅粉末，其中，
所述碳化硅粉末的平均粒径为10μm以上且2mm以下。
6.一种制造碳化硅晶体生长用碳化硅粉末的方法，所述方法包括：
通过将硅小片(1)与碳粉末(2)混合而制备混合物(3)的步骤；
通过将所述混合物(3)加热至2000℃以上且2500℃以下而制备碳化硅粉末前体(6)的步骤；以及
通过将所述碳化硅粉末前体(6)粉碎而制备所述碳化硅粉末的步骤。
7.根据权利要求6所述的制造碳化硅粉末的方法，其中，
所述碳粉末(2)的平均粒径为10μm以上且200μm以下。
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