[发明专利]使用具有多重脉冲的脉冲列激光与等离子体体蚀刻的晶圆切割

权利要求书

1.一种切割包含数个集成电路的一半导体晶圆的方法，该方法包含以下步骤：

于该半导体晶圆上方形成一光罩，该光罩包含一覆盖并保护该等集成电路的层；

以一使用多重脉冲的脉冲列激光雕绘工艺图案化该光罩，以提供一具有间隔的图案化光罩、于该等集成电路之间的该半导体晶圆的暴露区域；及

经由该图案化光罩中的该等间隔蚀刻该半导体晶圆，以切割该等集成电路。

2.如权利要求1所述的方法，其中以该使用多重脉冲的脉冲列激光雕绘工艺图案化该光罩的步骤包含使用每个丛发具有2-5个脉冲的丛发。

3.如权利要求1所述的方法，其中以该使用多重脉冲的脉冲列激光雕绘工艺图案化该光罩的步骤包含使用一大约在300kHz至10MHz范围中的丛发频率，及一大约为该丛发频率的10-20倍的脉冲频率。

4.如权利要求3所述的方法，其中该脉冲频率提供一大约在50-500飞秒(femtosecond)范围中的脉冲时间间隔。

5.如权利要求1所述的方法，其中以该使用多重脉冲的脉冲列激光雕绘工艺图案化该光罩的步骤包含使用一基于飞秒的激光。

6.如权利要求5所述的方法，其中使用该基于飞秒的激光的步骤包含使用一具有大约小于或等于540纳米的一波长的激光。

7.如权利要求1所述的方法，其中以该使用多重脉冲的脉冲列激光雕绘工艺图案化该光罩的步骤包含于该等集成电路之间、该半导体晶圆的该等区域中形成沟道，而蚀刻该半导体晶圆的步骤包含蚀刻以该基于飞秒的激光雕绘工艺所形成的该等沟道。

8.一种切割包含数个集成电路的一半导体晶圆的系统，该系统包含：

一工厂介面；

一与该工厂介面连接的激光雕绘设备，而且该激光雕绘设备包含一设以传送具有多重脉冲的一脉冲列的激光；及

一与该工厂介面连接的等离子体蚀刻腔室。

9.如权利要求8所述的系统，其中该设以传送一具有多重脉冲的脉冲列的激光为一锁模激光。

10.如权利要求9所述的系统，其中该锁模激光与一脉冲捡出器连接，该脉冲捡出器基于一选自由一电光调变器及一声光调变器所组成的群组的调变器。

11.如权利要求8所述的系统，其中该设以传送一具有多重脉冲的脉冲列的激光为一基于飞秒的激光。

12.如权利要求11所述的系统，其中该基于飞秒的激光具有一大约小于或等于540纳米的波长。

13.如权利要求8所述的系统，其中该激光雕绘设备设以执行一半导体晶圆的集成电路之间的街道的激光剥蚀，且其中该等离子体蚀刻腔室设以蚀刻该半导体晶圆，以于该激光剥蚀之后切割该等集成电路。

14.一种切割包含数个集成电路的一半导体晶圆的方法，该方法包含以下步骤：

于一硅基板上方形成一聚合物层，该聚合物层覆盖并保护位于该硅基板上的集成电路，该等集成电路包含一位于一低介电常数材料层与一铜层上方的二氧化硅层；

以一使用多重脉冲的脉冲列激光雕绘工艺图案化该聚合物层、该二氧化硅层、该低介电常数材料层与该铜层，以暴露出于该等集成电路之间的该硅基板的区域；及

经由间隔蚀刻该硅基板，以切割该等集成电路。

15.如权利要求14所述的方法，其中以该使用多重脉冲的脉冲列激光雕绘工艺图案化该二氧化硅层、该低介电常数材料层与该铜层的步骤包含于剥蚀该低介电常数材料层与该铜层之前剥蚀该二氧化硅层。